多层二硒化钨中与三激子相关的载流子弛豫实时观测 开放获取

《Journal of Materials Chemistry A》：Real-time Observation of Trion-Associated Carrier Relaxation in Multilayer WSe2Open Access

　　

三子能带（trion）相关的载流子弛豫在决定范德华半导体光响应中起着重要作用；然而，其在工作条件受到热扰动时的演变机制仍未得到充分理解。在本研究中，我们对多层 WSe? 进行了原位温控超快光谱测量，并分辨出在晶格温度从 298 K 升高至 398 K 的过程中，瞬态激子线型在 100 皮秒以内的延迟时间内发生了显著重新分布。在早期时间尺度上，相对于 A 激子漂白信号，低能三子能带相关特征的相对瞬态振幅随温度升高呈系统性增加，表明晶格加热对带电激子的响应具有超越简单带边重整化或线宽展宽的调制作用。互补的扫描超快电子显微镜（SUEM）结果显示，在最初约 50 皮秒内，载流子扩散响应最为强烈，且该响应在时间上与超快光谱观测到的三子能带相关响应相吻合。上述结果表明，晶格温度会调制多层 WSe? 中三子能带相关的载流子弛豫过程，从而为层状光电材料的热响应机制提供了机理性见解。

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? 2026 作者。由皇家化学会出版

2026

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