InAsxP1-x 合金纳米团簇的合成与转化 开放获取

《Nanoscale》：Synthesis and Conversion of InAsxP1-x Alloy NanoclustersOpen Access

　　III–V族半导体合金为光学带隙工程提供了一个强大的平台，然而，在胶体纳米晶中实现可调的组分控制仍然是一个挑战。在此，我们报道了一种纳米团簇介导的策略，用于合成组分可调的InAs_xP_1-x合金纳米晶。采用自下而上的方法合成了具有不同As:P阴离子比率的InAs_xP_1-x纳米团簇，并将其分离以确定合金组分，随后通过热解法生长为纳米晶。通过改变团簇组分，可以实现3.1至2.7 eV的可调光学带隙范围。然后，这些纳米团簇作为单源前驱体在第二步延长的生长过程中使用，以进一步调节合金纳米晶的尺寸和相应的光学带隙。这种两步法通过初始纳米团簇组分的耦合以及所得纳米晶的量子限域效应，实现了从3.1到1.9 eV的连续光学带隙调节。为了增强光学性能，在InAs_xP_1-x核上包覆了ZnSe壳层，通过表面钝化提高了光致发光强度。本研究表明，纳米团簇前驱体可作为胶体III–V族半导体中系统化合金控制的平台，并提供了一条合成组分和尺寸可调合金纳米晶的途径。该内容仅通过PDF提供。[PDF：InAs_xP_1-x合金纳米团簇的合成与转化]? 2026 作者所有。由英国皇家化学学会出版。2026年版权所有者：作者本文根据[知识共享署名-非商业性使用4.0国际许可协议](https://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/)许可。您可以在其他出版物中使用本文材料，无需向英国皇家化学学会（RSC）申请进一步许可，前提是给出正确的致谢且不用于商业目的。