具有钒掺杂和分级多孔结构的自支撑硫化钨阳极,用于“摇椅式”水系锌离子电池

《Journal of Energy Storage》:A self-supported tungsten disulfide anode with vanadium doping and hierarchical hollow structure for “rocking-chair” aqueous zinc-ion batteries

【字体: 大 中 小 】 时间:2026年09月05日 来源:Journal of Energy Storage 10.7

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   摘要 可充电水体系锌离子电池(AZIBs)是下一代储能系统的有力候选者。然而,传统AZIBs的实际应用受到枝晶形成、严重腐蚀和低锌利用效率等问题的严重阻碍。本研究首次构建并研究了直接在碳布(CC)基底上原位生长的含钒(V)掺杂分级中空结构自支撑二硫化钨(WS2)纳米

  

摘要

可充电水体系锌离子电池(AZIBs)是下一代储能系统的有力候选者。然而,传统AZIBs的实际应用受到枝晶形成、严重腐蚀和低锌利用效率等问题的严重阻碍。本研究首次构建并研究了直接在碳布(CC)基底上原位生长的含钒(V)掺杂分级中空结构自支撑二硫化钨(WS2)纳米阵列(CC@V-WS2),并将其作为无粘结剂负极电极用于"摇椅式"AZIBs。得益于导电性提高、电化学活性位点增多、离子扩散距离缩短以及机械稳定性强等多重优势,无粘结剂CC@V-WS2负极电极在1 mA cm?2电流密度下表现出0.40 mAh cm?2的高面放电容量,并且在3000次循环后容量保持率接近100%,展现出优异的长期循环稳定性,显著优于CC@WS2对照样品及以往报道的其他负极电极。此外,由于不受粘结剂和添加剂的干扰,原位外测量结果阐明了CC@V-WS2负极中同步发生的Zn2+/H+嵌入/脱嵌机制。更重要的是,将其与无粘结剂CC@VO2正极配对后,成功组装了"摇椅式"锌离子全电池,在1 mA cm?2电流密度下实现了0.22 mAh cm?2的放电容量,表明其在实际应用方面具有巨大潜力。本工作为高性能AZIBs的开发提供了新的视角。

引言

随着能源危机和环境问题的日益加剧,探索更先进的储能系统具有重要意义。在现有技术中,可充电水体系锌离子电池(AZIBs)因其高理论比容量(820 mAh g?1和5855 mAh cm?3)、适宜的电极电势(?0.762 V vs. SHE)、成本低廉、固有安全性及环境友好性等优点,被认为是大规模储能应用的有吸引力候选者[1], [2], [3]。尽管具有上述优势,采用金属锌负极的传统AZIBs仍面临若干关键挑战,如不可控的锌枝晶、低剥离/沉积库仑效率、电化学产氢以及锌金属利用效率低下(不足5%)等问题,严重限制了其实际应用[4], [5], [6], [7]。
参考商业锂离子电池的发展历程,开发无金属的"摇椅式"AZIBs已成为实现实际应用的一条有前景的途径[8], [9]。开发"摇椅式"AZIBs的主要挑战在于缺乏嵌入型负极材料。2016年,碲钼相Mo6S8因其独特的三向通道结构首次被提出作为AZIBs的嵌入负极[10]。但其低放电容量(45 mA g?1下为79 mAh g?1)和较差的循环性能(150次循环后降至60 mAh g?1)无疑限制了其实际应用。此后,大量研究致力于开发更优的AZIBs负极材料。迄今,已报道了大量"摇椅式"AZIBs的先进负极材料,包括钛基化合物[7], [11], [12], [13], [14]、铋基化合物[15], [16], [17]、钼基化合物[18], [19], [20]、钨基化合物[21], [22]、铜基化合物[23], [24], [25]以及有机化合物[26], [27]。例如,Guo等人提出了一种层状钛磷酸盐Ti2O3(H2PO4)2·2H2O作为AZIBs的嵌入负极,在50 mA g?1下实现了108 mAh g?1的可逆容量[14]。Long等人合成了钴掺杂的BiOBr超薄纳米片(Co-UTBiOBr)作为负极材料,在0.1 A g?1下实现了150 mAh g?1的高容量,且在1 A g?1下循环3000次后几乎无容量衰减[16]。尽管取得了上述进展,高性能AZIBs负极材料的探索及其Zn2+储存机制的研究仍迫在眉睫。
此外,大多数已报道的AZIBs负极材料为粉末状,在电极制备过程中需要额外的导电剂和不必要的聚合物粘结剂[9], [28], [29]。需要指出的是,绝缘性聚合物粘结剂不仅降低了电极的导电性,还阻碍了部分电化学活性位点参与电化学反应,从而导致放电容量低和倍率性能差[30], [31], [32]。与传统的粉末电极不同,直接在导电基底上生长电化学活性材料具有诸多优势,包括电子传输快、离子扩散快、电化学活性材料利用充分以及机械稳定性强[33], [34]。此外,消除粘结剂/添加剂的干扰可以更准确地揭示工作机制[35]。因此,开发AZIBs的无粘结剂负极电极具有重要意义。
作为著名的二维(2D)过渡金属二硫化物,二硫化钨(WS2)因其作为金属离子电池有前景的负极材料而引起了广泛的研究兴趣[36], [37]。WS2具有0.62 nm的大层间距和S-W-S层间较弱的范德华作用力,有利于各种碱金属离子和大尺寸多价阳离子的可逆嵌入/脱嵌[38], [39], [40], [41], [42]。因此,研究WS2作为AZIBs负极的电化学性质将非常引人入胜,然而迄今为止鲜有报道。本文合理地设计了一种含钒(V)掺杂分级中空结构的自支撑WS2,直接生长在碳布基底上(记为CC@V-WS2)。当其作为AZIBs的无粘结剂负极电极时,CC@V-WS2负极展现出如下多重优势:首先,分级中空结构可有效增大表面积,缩短电子和Zn2+的传输距离,并缓解Zn2+嵌入/脱出过程中的体积膨胀;其次,V掺杂有利于增加活性位点、降低Zn2+扩散势垒并增强WS2的导电性;第三,纳米阵列间的开放空间使其与电解液高效接触;第四,V-WS2纳米阵列直接生长在导电基底上且粘附力强,确保了优异的机械稳定性。凭借这些优势,CC@V-WS2负极电极表现出优异的电化学性能,优于CC@WS2对照样品。此外,值得注意的是,采用CC@V-WS2负极和CC@VO2正极的全电池也被成功组装,以验证其实际应用的可行性。此外,由于不受任何粘结剂和添加剂的干扰,我们系统地研究了CC@V-WS2负极电极在充放电过程中发生的工作机制。

各节摘录

结果与讨论

如图1所示,无粘结剂CC@V-WS2负极电极通过简单的两步合成程序构建。首先,采用此前报道的便捷水热法[43]在碳布基底上原位生长V-WO3前驱体纳米阵列(CC@V-WO3)。随后,以硫代乙酰胺(TAA)为硫源,在550°C高温下于Ar

结论

总之,成功开发了一种自支撑CC@V-WS2负极用于"摇椅式"AZIBs,并首次探索了其电化学性能。该电极设计具有多重优势,包括高导电性、丰富的电化学活性位点、快速离子扩散和优异的机械稳定性。正如预期,CC@V-WS2负极电极表现出优异的电化学性能,包括高面放电容量(1 mA cm?2下为0.40 mAh cm?2)和良好的

实验部分

详细的材料制备和表征方法见补充材料。

CRediT作者贡献声明

邓峰(Dengfeng Huang):撰写——初稿,方法论,调查研究。谢文昌(Wenchang Xie):方法论,数据整理。陈玉隆(Yulong Chen):形式分析。蔡道平(Daoping Cai):撰写——审稿与编辑,监督,概念化。吕德强(Deqiang Lv):验证,软件。张朝奇(Chaoqi Zhang):可视化,资金获取。曲白华(Baihua Qu):撰写——审稿与编辑,监督。詹洪兵(Hongbing Zhan):资源,项目管理。

利益冲突声明

作者声明不存在已知的可能影响本文所报告工作的竞争性经济利益或个人关系。

致谢

本工作得到中国福建省自然科学基金(2024 J08139)的资助。
邓峰|谢文昌|陈玉隆|蔡道平|吕德强|张朝奇|曲白华|詹洪兵
福州大学材料科学与工程学院,福州,350108,中国
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