钙钛矿太阳能电池(PSCs)被广泛认为是下一代光伏技术中最有前景的一种,这得益于其高效率和高加工便利性,尤其是倒置(p-i-n)结构,该结构与叠层器件具有优异兼容性[[1], [2], [3], [4], [5]]。值得注意的是,单结p-i-n PSCs的认证光电转换效率(PCEs)已接近成熟产品,如结晶硅(Si)和砷化镓(GaAs)电池[6,7]。然而,最佳研究级器件效率仍未达到其Shockley-Queisser(S-Q)极限,主要由于严重的载流子复合和开路电压(Voc)损失[8,9]。
PSCs通常由钙钛矿吸收体组成,夹在两层电荷传输层之间,选择性地将光生多数载流子传输至相应电极。钙钛矿吸收体的费米能级(EF)分裂为多数载流子的两个准费米能级,在电荷选择性接触处合并,即在电子接触处为EFn,在空穴接触处为EFp[10,11]。在理想情况下,EFn与EFp之差等于光电压值,因为多数载流子通过接触区域分布而不损失化学势。然而,不可避免的非辐射复合降低了载流子密度,限制了准费米能级的分裂,从而降低了Voc值[[12], [13], [14]]。近期,随着变革性空穴选择性自组装单分子层(SAMs)的出现,人们见证了新的进展,并在通过提高分子均匀性、电导率和锚定稳定性来抑制此类埋入式钙钛矿/SAM异质结界面处多数载流子损耗方面做出了巨大努力[[15], [16], [17]]。与此同时,越来越多的研究表明,在单一界面层中结合多种表面钝化策略——如功函数调节、缺陷修复和离子固定化——可以更有效地减少非辐射复合并增强器件稳定性
然而,钙钛矿与电子传输层之间的顶部异质结界面处的非辐射多数载流子损耗仍亟待解决[[18], [19], [20], [21], [22]]。除了引人关注的有害陷阱态和不可控离子迁移之外,一个关键挑战仍在于接触选择性不足。依赖于基底的钙钛矿表面能往往导致顶部异质结界面处多数载流子与少数载流子密度比过低[[23], [24], [25]],这不仅破坏了界面的电荷选择性和提取效率,导致界面非辐射复合积聚[26,27],还导致多数载流子准费米能级弯曲,造成器件Voc的等效损失[28,29]。这些问题显著限制了可实现的光子电压,阻碍了PSCs达到其完全热力学潜力。越来越多的研究表明,迫切需要开发高效策略,同时调控钙钛矿表面能和缺陷态,以进一步推进器件效率和稳定性[[30], [31], [32], [33]],而这仍是一个首要挑战。
在此,我们开发了一种多数载流子主导接触策略用于载流子管理以应对这一挑战。我们通过4,4-二氟环己胺氢碘酸盐(DCAI)处理对钙钛矿表面多数载流子进行功能化。证明电子是电荷传输的多数载流子,浓度为5.26 × 1019 m?3,在顶部异质结界面创建电子主导接触,促进多数载流子提取和少数载流子阻挡。结合增强的载流子接触选择性、多位点缺陷钝化和离子定位,我们将非辐射复合损失最小化为仅56 meV,在钙钛矿带隙为1.55 eV的条件下实现了高达1.221 V的Voc,超过S-Q极限的95%,代表了迄今为止单结p-i-n PSCs报道的最高值。此外,器件在上海市高湿(70 ± 5% RH)和炎热气候(30 ± 5 ℃)条件下表现出26.89%的出色PCE以及延长的工作稳定性。