通过紧束缚方法探测8-16-4乙炔烯单层的热电性质

《Scientific Reports》：Probing the thermoelectric properties of the 8–16–4 graphyne monolayer via tight-binding approach

　　本研究利用紧束缚模型结合格林函数形式理论，探讨了新提出的8-16-4石墨炔晶格的热电器件特性。研究重点关注磁场、掺杂和应变对电导率、热导率和塞贝克系数等关键输运参数的影响。计算得到的电子态密度显示出类狄拉克半金属材料行为，其特征是在费米能级附近态密度趋于零。我们的结果表明，施加压应变可以显著改变电导率峰值的大小和位置，这表明可以通过晶格形变来调节输运性质。在研究的整个温度范围内，塞贝克系数始终保持正值，证实了空穴是热电输运的主要贡献者。然而，当将其视为化学势的函数时，塞贝克系数在电荷中性点附近会发生符号变化，表明p型与n型输运通道之间的转换。此外，磁场改变了电子态密度峰值的强度，但并未影响其位置，这突显了能带结构的鲁棒性。这些发现凸显了8-16-4石墨炔作为具有机械柔性和热电活性的二维材料的潜力，适用于纳米电子器件和能量转换技术。