过去几十年来,纳米晶材料因其与较大晶粒材料截然不同的特定性能而受到越来越多的关注[1,2]。这些卓越性能,特别是高电阻率、优化的磁性和增强的化学反应活性,主要归因于小晶粒尺寸和高界面密度[3,4]。在此背景下,稀土和过渡金属合金,如钐-铁-金属(Sm-Fe-M,其中M=钛(Ti)、钒(V)等),展现出在各种应用中的巨大潜力,涵盖磁性材料到能量存储系统[5,6]。三元钐-铁-T(SmFe12-xTx,其中T=钛(Ti)、钒(V)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)或硅(Si))化合物,具有ThMn12结构,因具有高饱和磁化强度Ms、强磁晶各向异性Ha和高居里温度(TC)而脱颖而出,使其成为永磁应用的理想候选材料[[7], [8], [9], [10], [11]]。
在这些体系中,通过快速凝固获得的SmFe10TiV合金表现出最高的矫顽力Hc,达到98000 Oe [11]。进一步的替代处理将该矫顽力提高至100000 Oe以上,在Sm8Fe75-5Ga0-5Ti8V8合金中观测到最高值107000 Oe [11]。这些性能与Nd-Fe-B磁体相当[12]。Okada等人[[13], [14], [15]]研究了Sm-Fe-Ti和Sm-Fe-V系统的磁性,确定了影响其磁性行为的因素。他们表明,通过快速凝固获得的Sm-Fe-Ti-B和Sm-Fe-Ti-(Si,Al)带材分别表现出77000 Oe和65000 Oe的矫顽力(Hc),而在退火后始终呈现α-Fe相[14]。此外,他们观察到SmFe10V带材的矫顽力为78000 Oe,归因于立方FeV相的形成[16]。在钐-铁-钛-金属(SmFe10(Ti,M)2,其中M=钒(V)、铬(Cr)、锰(Mn)、钼(Mo))体系中,以20 m/s急冷的带材表现出41000至55000 Oe之间的矫顽力Hc。对以40 m/s急冷的带材进行退火改善了这些值,达到59000至100000 Oe之间。值得注意的是,SmFe10(TiV)和SmFe10(TiCr)带材表现出100000 Oe和79000 Oe的矫顽力Hc,为快速凝固获得的ThMn12结构带材中报道的最高值[13,17]。
本工作中选择SmFe10TiV合金的强烈动机在于其相比其他ThMn12基化合物所展现的卓越磁性潜力。事实上,Ti和V的同时替代在稳定亚稳态ThMn12结构方面起着至关重要的作用,同时保持了高磁化强度并增强了磁晶各向异性。这种结构稳定性和磁性性能之间的平衡使SmFe10TiV成为开发低稀土含量高性能永磁体的最有希望的候选材料之一。此外,与传统Nd-Fe-B磁体相比,SmFe10TiV合金表现出更优异的耐热性和出色的矫顽力性能,这对于在严苛条件下运行的高级技术应用至关重要。尽管存在这些优势,高能磨削和纳米晶化对该合金结构和磁性行为的影响仍未得到充分探索,从而激发了本研究。
SmFe10TiV合金对于永磁体和高磁各向异性材料应用尤为引人关注。各种合成方法,包括电弧熔炼后在惰性气氛下1237 K进行长时间退火,已产生均质合金[11,14,18]。另一方面,熔体甩带快速淬火产生具有改善矫顽力的纳米晶带材。SmFe10TiV的磁性强烈依赖于合成条件和热处理。饱和磁化强度(Ms)根据所获得相的纯度在115至130 emu/g之间变化,平均值为120 emu/g。矫顽力(Hc)在1173 K处理的样品中达到3200 Oe,而未处理合金中观测到较低值(≈2500 Oe)[[19], [20], [21], [22], [23]]。居里温度(TC)在510至550 K之间,这些变化归因于第二相的存在和晶体结构的均匀性。最大能量积((BH)max)在磁场下压制的粉末中达到15 MGOe。尽管这些性能前景可观,但高能磨削对SmFe10TiV性能的影响仍未被探索。
为了优化其性能,我们使用这种创新技术考察了该化合物的纳米晶形态。引入该方法,结合X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和拉曼光谱等先进的表征技术,使其微观结构和磁性进行深入分析成为可能。这种方法旨在建立合成条件、晶体结构和磁性性能之间的精确关联,从而为SmFe10TiV基永磁体的优化开辟新的视角。为了进一步优化其磁性性能,我们选择使用这种创新技术考察该化合物的纳米晶形态,该技术此前尚未应用于此材料。引入该方法,以及X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和拉曼光谱等先进的表征技术,使得对该化合物的微观结构和磁性进行深入分析成为可能。这种方法旨在建立合成条件、晶体结构和磁性性能之间的精确关联,从而为SmFe10TiV基永磁体的优化开辟新的视角。
基于密度泛函理论(DFT)[24,25]和平均场理论(MFT)[26,27]的理论研究已进行,以阐明电子和磁性相互作用,以及影响矫顽力Hc、剩余磁化强度Mr和最大能量积(BH)max的机制。这项创新工作旨在澄清支配SmFe10TiV化合物磁性性能的基本物理机制,以优化其性能用于高级应用,特别是永磁体和自旋电子器件。为此,我们研究了通过高能磨削后退火合成的SmFe10TiV合金的微观结构、电子和磁性特征。这一前所未有的分析包括对晶体学参数、原子位置以及本征和非本征磁性特征的详细表征。为评估晶粒间的交换相互作用,我们应用了一种基于晶粒间交换耦合(IGEC)理论的方法,使用为本研究专门开发的Python代码[28]。此外,基于DFT和MFT的从头算计算,使用Wien2k代码[29]进行,提供了对电子结构、磁性构型和交换相互作用(J??)的定量分析。结果表明SmFe10TiV化合物在高性能磁性材料开发方面具有强大潜力,为高级技术应用开辟了有前景的展望。