模块化单级48-to-1-V DC-DC转换器,输出电流200 A

《IEEE Access》:Modular Single-Stage 48-to-1-V DC–DC Converters With Output Current of 200 A

【字体: 大 中 小 】 时间:2026年09月07日 来源:IEEE Access 4.2

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  本文介绍了非隔离模块化DC-DC转换器在高电压降压方面的研究概念与结果。研究结果针对48 V至1 V的转换比进行展示。由于输出电流值非常高(高达200 A),转换器的拓扑概念假设其在并联模块之间共享。这允许减小电感器的能量与体积,并降低电阻损耗。元件的电压应力

  
本文介绍了非隔离模块化DC-DC转换器在高电压降压方面的研究概念与结果。研究结果针对48 V至1 V的转换比进行展示。由于输出电流值非常高(高达200 A),转换器的拓扑概念假设其在并联模块之间共享。这允许减小电感器的能量与体积,并降低电阻损耗。元件的电压应力也得以降低。这是通过将模块连接到输入分压器实现的。以低占空比运行允许模块依次连接到各个输入分压电容器。这使得可以使用简单的非隔离转换器拓扑并确保安全运行。所提出系统的其他优点包括其模块化设计、负载在多个晶体管之间的分配、连续输出电压控制、电压与电流的自平衡、高频输出电压纹波,以及在某些控制故障情况下的容错能力。这些特征对于所分析族类的转换器是共同的。所提出族类转换器的复杂度可以优化。然而,这会影响负载、元件电压应力以及转换器效率。因此,本文提供了大量实验结果,比较了系统几种变体的效率。实验结果针对基于MOSFET的转换器展示,输出功率范围为200 W,输出电压为1 V。
**研究背景与问题**
现代计算与存储系统(如CPU、GPU、RAM)的供电架构日益趋向于采用48 V直流母线,而负载点需要低至1 V甚至更低的电压,同时要求高效率、高可靠性和精确的输出电压控制。传统多级级联降压或基于变压器、磁耦合、开关电容及混合技术的高降压变换器,往往存在器件数量多、控制复杂、电压应力高或电流能力受限等问题。特别是当输出电流高达200 A时,电感体积、导通损耗和器件应力成为突出挑战。为此,研究人员提出了一种非隔离模块化高降压DC-DC变换器族,以48 V/1 V转换比为目标,通过模块间电流共享来降低电感储能、体积和电阻损耗。

**研究内容与意义**
研究人员开展了系统性的拓扑概念设计、理论分析、计算机仿真和实验验证。提出的变换器将输入电压用多个电容分压,各降压模块通过双向开关连接到分压电容;得益于极小的占空比,各模块依次工作,不会同时接通,从而避免输入电容短路。该方案实现了模块化设计、负载分摊、连续调压、电压电流自平衡、高频纹波和一定容错能力。实验采用基于MOSFET的200 W输出功率(1 V输出电压)平台,验证了概念可行性。结果表明,变换器在约100 A输出电流处获得峰值效率,并具有比传统交错并联Buck更低的输出电流纹波。论文发表在《IEEE Access》。

**关键技术方法**
为开展研究,作者使用了以下关键技术方法:采用输入电容分压器与双向开关(如GaN)构建非隔离模块化Buck衍生态拓扑,利用低占空比顺序控制(PWM状态序列)实现模块安全切换;通过自然电压电流平衡原理简化闭环控制,无需额外输入电压测量;建立解析效率模型,结合MOSFET器件参数和电感厂商功率损耗工具进行计算;利用Matlab/Simulink进行电路仿真,分析电压/电流应力、损耗分布、平衡动态和故障状态;搭建四模块和三模块实验系统,使用B-BOX Imperix快速原型系统产生控制信号,HIOKI PW8001功率分析仪进行精确效率测量,并用热成像评估器件温升。

**研究结果**
**A. 拓扑概念与工作原理**
通过理论分析揭示了该族变换器的基本拓扑:四个相同开关-电感模块(N=4)连接到输入电容分压器(C1–C4),每个模块包含双向主开关(SnT、SnB)和同步晶体管(Snv)。各模块电压增益为Gn=Uout/(Uin/4)=1/12,因此占空比Dn=1/12。当占空比小于0.25时,任一时刻只有一个模块连接到输入电容,双向开关关断防止了DC-link电容短路。推导出同步管控制逻辑:State(Snv)=not[State(SnT, SnB)]。还提出简化拓扑(图2b)减少边界模块晶体管数量,以及三模块对称拓扑(N=3)。保护二极管D1–D4用于在轻载负电流被中断时保护器件。

**B. 输出电流纹波**
计算了电感电流纹波ΔIL=(Uin/N?Uout)D/(LfS)。对于L=1 μH、fS=60 kHz,四模块系统的输出电流纹波为11.1 A,而四相交错并联Buck为15.35 A,输出纹波低38%,电感电流纹波低7%。

**C. 效率分析模型**
建立了包含晶体管开关损耗、导通损耗和电感损耗的解析模型。利用仿真获取各晶体管开通时的电压应力,基于MOSFET数据手册的电容曲线计算损耗。以1 μH和2.2 μH电感为例,比较了模块化系统与交错Buck的电感损耗,显示模块化系统中由于电感电压降低近4倍,磁芯和交流损耗显著下降。

**D. 计算机仿真**
采用与实际器件参数一致的模型进行仿真。仿真验证了稳态电流波形、同步晶体管电压应力为Uin/4=12 V,主开关电压应力各不相同但通常低于输入电压。效率随频率降低而提高;在200 W时,导通损耗主要发生在电感和同步晶体管中。输入电容电压和电感电流具有自然平衡能力,通过简化微分方程模型解释了平衡机制;在人为不平衡(R1=16 Ω,R2=12 Ω,R3=18 Ω,R4=6 Ω)后,约10 ms内恢复平衡。输出电压纹波低于0.05%,主要谐波为fS和2fS,四模块系统纹波更低。容错仿真表明,当多数晶体管因故障或控制失效保持关断时,电路能以降压模式运行,但功率受限。

**E. 实验结果**
搭建了四模块实验平台,PCB采用2盎司铜箔,单模块尺寸9.4 cm×8.1 cm。实验波形验证了顺序控制、输入48 V输出1 V、单个电感电流与总输出电流(160 A)的关系。同步晶体管电压应力实测为12 V,与仿真一致。比较了不同变体效率:在40 kHz、60 kHz、100 kHz频率下,最高效率分别为90.08%、89.74%、83%,峰值出现在约90 W负载;三模块系统在轻载时效率较高,但重载下四模块系统更优;减少边界模块晶体管数量会降低轻载效率,但可能在高功率下降低导通损耗;使用2.2 μH电感在相同电流纹波下(28 kHz)与1 μH(60 kHz)相比,最大功率时效率差异约1%,低阻值电感更有利于大功率。热成像显示,减少主晶体管数量的模块中,单个晶体管温升最高达20 °C。

**F. 对比研究**
与现有文献中增益接近48 V/1 V的非隔离转换器相比,所提变换器在输出电流能力和效率方面具有竞争力,优势在于模块化可扩展、无需飞跨电容或开关电容,且峰值效率出现在高输出电流(约100 A)处,这归功于电流共享带来的低导通损耗。

**讨论与结论**
讨论部分指出,模块数增加可降低输出电流和电压纹波,提高功率等级;峰值效率出现在高电流约100 A处;输入电压和输出电流自然平衡,无需额外测量控制;系统可使用低复杂度闭环控制;元件电压应力分化但低于输入电压;模块化拓扑简单控制且提高输出纹波频率;少模块系统在轻载时效率高,但重载时效率低;低电感量电感在高功率时效率更高,轻载时略低;边界模块可减少一个晶体管,但可能增加开关损耗;电路具有容错特性。结论部分翻译如下:本文展示了对一种模块化48-V-to-1-V高输出电流变换器的研究结果。实验测试证实了系统的可行性,并显示了配置改变时效率的差异。器件在四模块和三模块系统中进行了测试,测试了不同开关频率和电感,以及减少模块中晶体管数量的能力。最重要结论包括:所提变换器产生的输出电流纹波远低于交错Buck变换器;模块数量较多的变换器输出纹波更小,允许减小输出电容;增加模块数可实现更大的变换器功率;系统效率高,峰值效率出现在约100 A输出电流;输入电压和输出电流自然平衡,无需额外测量和控制;变换器可在低复杂度闭环控制系统中运行;元件电压应力差异大但低于输入电压;模块化拓扑允许简单控制并显著增加输出电流纹波频率;模块数量少的系统在低功率时效率高但高功率时效率低;低电感系统在高功率时效率较高,轻载时略低;边界模块的双向支路可减少一个晶体管,但不会显著改善效率,并可能增加开关损耗;电路在多数晶体管控制失效或损坏而保持关断时具有容错能力;可通过并联同步晶体管和使用极低电阻电感来提高效率和功率密度。
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