基于45nm RFSOI技术实现0.1W饱和功率的D波段四路功率合成共栅极功率放大器

《IEEE Microwave and Wireless Technology Letters》：A D-Band Four-Way Power-Combined Common-Gate Power Amplifier Achieving 0.1 W P SAT in 45 nm RFSOI Technology

　　摘要：本文提出了一种采用GlobalFoundries开发的高性能射频n型场效应晶体管（ADNFETs）实现的高功率137–155 GHz四路功率合成共栅（CG）功率放大器（PA）。所提出的设计采用级联共栅级以利用其优越的线性度，从而产生比共源（CS）功率放大器更高的输出功率；同时，ADNFETs支持高电源电压工作，并提高了共栅放大器每级的增益。该原型集成电路采用45RFE工艺制造，该工艺是一种射频优化的45纳米RFSOI技术。在1.35 V电源电压下，实测饱和输出功率（PSAT）为20.5 dBm，输出1 dB压缩点（OP1dB）为17.4 dBm，在137.5 GHz处的峰值功率附加效率（PAE）为11.4%。在127–148 GHz频段内，该功率放大器的PSAT > 19 dBm，OP1dB > 15 dBm，峰值PAE > 8%。