采用噪声匹配和增益平坦度优化技术实现的11.1–27.5GHz SiGe低噪声放大器，噪声系数1.62dB，增益32.2dB

《IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques》：An 11.1–27.5-GHz SiGe LNA With 1.62-dB Noise Figure and 32.2-dB Gain Using Noise Matching and Gain Flatness Optimization Techniques

　　摘要：实现宽带同时噪声和输入匹配（SNIM）对于低噪声放大器（LNA）至关重要。然而，变压器反馈的固有噪声调节机制在现有研究中仍未被揭示，这些研究大多集中在带宽扩展方面。本文系统地揭示了这一机制，证明与传统电感反馈相比，变压器反馈能够在不恶化最小噪声系数（NF_min）的情况下降低等效噪声电阻（R_n）并平坦化最优噪声阻抗（Z_opt），为宽带SNIM建立了理论基础。基于此，在0.18μm SiGe工艺中实现了一款11.1–27.5 GHz的三阶LNA。共射共基输入级中的变压器反馈网络实现了宽带SNIM，而高耦合级间变压器扩展了带宽，但引入了中频增益凹陷和高频增益滚降。为了补偿，提出了一种具有并联L-R极点分配的改进电流复用拓扑，以平坦化增益响应。测量结果表明，所提出的LNA在11.1–27.5 GHz的3 dB带宽内实现了32.2 dB的峰值增益和1.62 dB的最小噪声系数，在1.5 V电源下功耗为11 mW。