更正：由于界面-光学-声子模式的对称性和非对称性，对比了非对称高斯GaAs/AlAs量子阱在AlAs势垒层和GaAs阱层的光学和输运特性。开放获取

《Physical Chemistry Chemical Physics》：Correction: Comparison of the optical and transport characteristics due to symmetrical and asymmetrical interface-optical-phonon modes of asymmetrical Gaussian GaAs/AlAs quantum wells for both AlAs-barrier and GaAs-well layersOpen Access

　　

Ho Kim Dan等人发表的论文《Due to symmetrical and asymmetrical interface-optical-phonon modes of asymmetrical Gaussian GaAs/AlAs quantum wells for both AlAs-barrier and GaAs-well layers：对称与非对称界面光声子模式对光学和传输特性的影响比较》，发表于Phys. Chem. Chem. Phys.，2026年，28卷，第11771–11794页，https://doi.org/10.1039/D5CP04910E。

作者们对原文中b和d部分的所属机构地址有误表示歉意。正确的所属机构分别是越南胡志明市Van Lang大学的Van Lang技术学院的Applied Technology系以及越南胡志明市Thu Dau Mot大学。

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? 2026 作者。由英国皇家化学学会代表相关机构出版

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