硅氢化物线性光学吸收光谱的第一性原理电子相关计算：Si3Hn (n = 1–4) 有售

《Physical Chemistry Chemical Physics》：First principles electron-correlated calculations of linear optical absorption spectra of silicon hydrides: Si3Hn (n = 1–4)Available to Purchase

　　

我们使用Dunning的相关一致极化价三基组（cc-pVTZ）基组，进行了一手原理电子关联计算，以优化各种形式为Si₃H_n（n = 1–4）的硅化物的几何结构，并计算其线性光学吸收光谱。几何优化采用无限制耦合簇单双激发（UCCSD）或耦合簇单双激发（CCSD）方法进行。为验证体系的稳定性，我们在与几何优化相同的理论水平下进行了振动频率分析。激发态的描述和光吸收光谱的计算采用含时密度泛函理论（TDDFT）方案。我们研究了Si₃H、Si₃H₂、Si₃H₃和Si₃H₄体系的各种异构体，观察到强烈的结构-性质关联——因此，可以利用这些异构体的光谱特征对其进行光学检测和表征。我们计算的光谱属于首创，因此，这些结果可作为未来针对这些结构实验研究的参考。所计算的光谱也有助于通过光学实验识别硅薄膜中由氢化诱导的缺陷。

视觉摘要

查看大图 下载幻灯片

对多种形式为Si₃H_n的硅化物进行了电子关联计算；优化了其结构，确认了其振动稳定性，并计算了其光吸收光谱。

查看大图 下载幻灯片

对多种形式为Si₃H_n的硅化物进行了电子关联计算；优化了其结构，确认了其振动稳定性，并计算了其光吸收光谱。

关闭图片

? 2026 作者。由皇家化学会代表所有者学会出版

2026

作者

若要在其他出版物中使用本文的材料，您必须申请许可；请参阅我们关于使用在RSC许可下发表的文章材料的指南。