一种0.024 mm2工艺容差频率基准,在-40°C至125°C范围内实现7.6 ppm/°C的温度系数,加速老化后为9.6 ppm/°C
《IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers》:A 0.024-mm2 Process-Variation-Tolerant Frequency Reference Achieving 7.6 ppm/°C From ?40 °C to 125 °C and 9.6 ppm/°C After Accelerated Aging
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时间:2026年09月09日
来源:IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers 5.2
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本文提出了一种基于频率锁定环(FLL)的鲁棒、面积高效的频率基准,采用串并联双跟踪(SPDT)技术。为了实现二阶温度补偿并增强工艺偏差容忍度,提出了一种仅使用两种类型电阻器的混合补偿结构,并对其理论设计考量进行了详细分析。所提出的SPDT技术在工艺偏差下会引发工艺跟踪温度系数
本文提出了一种基于频率锁定环(FLL)的鲁棒、面积高效的频率基准,采用串并联双跟踪(SPDT)技术。为了实现二阶温度补偿并增强工艺偏差容忍度,提出了一种仅使用两种类型电阻器的混合补偿结构,并对其理论设计考量进行了详细分析。所提出的SPDT技术在工艺偏差下会引发工艺跟踪温度系数(TC)的偏移,从而在无需复杂微调网络的情况下显著降低工艺敏感性。原型采用180 nm标准CMOS工艺制造,占据紧凑的有源面积为0.024 mm2。在15个样品的实验结果表明,在仅进行TC1微调后,于?40 °C至125 °C的宽温范围内,平均温度系数为7.6 ppm/°C(σ = 0.7 ppm/°C)。此外,通过加速老化验证了长期稳定性,温度系数保持在9.6 ppm/°C的良好水平。该电路以32 MHz标称频率工作,在1.2 V供电下功耗为44.1 μW,并表现出低至0.12%/V的线路灵敏度。
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