稀土掺杂发光材料是一类重要的功能材料,因为其4 f电子构型产生了窄带发射、明确的能级和高效的能量转换途径[1]。这些特性使其在固态激光器、光通信和光电器件中得到广泛应用[2], [3], [4], [5], [6], [7], [8], [9]。
然而,自由稀土离子的4f-4f跃迁在很大程度上是宇称禁戒的,导致本征吸收截面小和辐射概率有限[10]。在晶格基质中,局域晶体场可以解除4 f态的简并并混合相反宇称的组态,从而放松选择定则并增大电偶极跃迁的概率[11], [12]。因此,稀土掺杂晶体的发射效率不仅取决于敏化离子与激活离子之间的能量匹配,还取决于基质的局域对称性、声子能量、光学透明度和缺陷浓度[13], [14]。
在可用的材料形式中,单晶具有长程结构有序性、减少的晶界损耗、高光学透明度和优异的热稳健性,这对高功率发光和激光应用至关重要[15], [16], [17]。金属氧化物单晶提供了更高的环境稳定性和机械可靠性;然而,高对称氧化物晶格可能仍会面临弱的跃迁概率、缺陷辅助的非辐射弛豫和不足的发射强度问题。因此,开发兼具低缺陷密度、低局域对称性、宽禁带和低声子能量的金属氧化物单晶基质是提高稀土发射的核心策略[18], [19]。
Yb3+作为常用的近红外敏化剂:其2F7/2 → 2F5/2跃迁能有效吸收980 nm光并将能量传递给相邻激活剂以增强多光子上转换[20], [21], [22], [23]。Nd3+提供丰富的4 f能级和可见至近红外发射,而Eu3+提供来自5D0 → 7Fj跃迁的特征红色发射。将Eu3+、Nd3+和Yb3+引入同一晶体基质中,有望通过Yb3+敏化吸收、Eu3+/Nd3+的多能级辐射跃迁和离子间能量转移实现从可见到近红外区域的多波段发射[24], [25], [26], [27], [28]。然而,多离子共掺杂系统也更容易受到浓度猝灭、反向能量转移和缺陷诱导的非辐射弛豫的影响[29]。因此,必须选择合适的晶体基质以确保高效的能量转移和强的发光输出[30], [31]。
稀土离子的发射强度受基质晶体的局域对称性、晶格结构、透过率、缺陷浓度和声子能量的强烈影响,而非仅由激活剂决定。兼具低局域对称性、低声子能量、低缺陷浓度和高透过率的基质晶体是增强发光强度的理想选择。
氧化钇稳定氧化锆(YSZ)因其优异的热稳定性、化学耐久性和光学透明度而广泛用作稀土掺杂发光基质[32]。然而,立方YSZ具有较高的结构对称性,这限制了局域晶体场对稀土离子选择定则的放松程度。YSZ晶体的形成可能诱导氧空位以维持晶格的电荷中性[33], [34], [35], [36], [37], [38]。相比之下,单斜YTaO4和YNbO4提供了较低对称性的配位环境,可以产生较强的非中心对称局域晶体场,促进Stark分裂,增大跃迁概率,并促进能量转移。先前的光谱研究报告了YTaO4相对较低的特征声子频率,这有利于抑制多声子非辐射弛豫并增强发光[39], [40]。结合低对称结构和相对较低声子能量的Eu3+/Nd3+/Yb3+共掺杂单斜YTaO4单晶是增强发光强度的理想选择[41]。然而,Eu3+/Nd3+/Yb3+共掺杂单斜YTaO4单晶的发光行为表征仍然稀缺。
在本工作中,采用光学浮区(OFZ)技术[42]生长了多种单晶,包括YTaO4、YTaO4:Eu0.4Nd0.6Yb3.2、YNbO4、YNbO4:Eu0.4Nd0.6Yb3.2、YSZ和YSZ:Eu0.4Nd0.6Yb3.2单晶。通过各种实验技术对这些单晶的结构、密度和光学性能进行了表征。我们首次对晶体对称性、声子能量、光学透过率和Nd3+中间态寿命在调控Eu3+/Nd3+/Yb3+共掺杂单斜YTaO4、YNbO4和立方氧化钇稳定氧化锆(YSZ)单晶所展现的发光发射行为方面所起的作用进行了比较研究。