通过单轴应变区分表观与隐藏交替磁性

《Physical Review B》：Distinguishing apparent and hidden altermagnetism via uniaxial strain in

　　

隐藏交错磁性先在金属 Cs??δV?Te?O 中被理论提出，随后得到实验证实，该金属具有两种近乎简并的基态磁构型（**C** 型和 **G** 型），分别对应表观交错磁性和隐藏交错磁性。在此，我们提出可以利用面内单轴应变来区分表观交错磁性和隐藏交错磁性。在单轴应变下，表观交错磁性表现出明显的净磁矩，而隐藏交错磁性则保持零净磁矩。此处由单轴应变诱导的磁矩，即压磁效应，与半导体中的情形不同；在半导体中，必须先施加应变，随后再进行载流子掺杂，才能产生净磁性。第一性原理计算验证了我们的提议，表明 **C** 型反铁磁 CsV?Te?O 中由单轴应变诱导的磁矩远大于先前研究的交错磁性半导体中的磁矩。此外，我们还研究了具有类似 CsV?Te?O 晶体结构的半导体在单轴应变下的电子态转变，并通过第一性原理计算针对特定材料验证了我们的提议。在施加单轴应变后，**C** 型 CsV?Te?O 通过压磁效应表现出异常霍尔效应，而 **G** 型 CsV?Te?O 则没有表现出异常霍尔响应。我们的工作为区分 CsV?Te?O 系列中的表观交错磁性和隐藏交错磁性提供了一种实验可行的策略。