引言
聚偏氟乙烯(PVDF)凭借优异的热稳定性、电化学兼容性和机械强度,被认为是固态聚合物电解质的极具吸引力的候选材料 [1], [2], [3], [4]。作为一种半结晶聚合物,其非晶区域实现离子传输,而晶区则提供结构完整性 [5], [6]。然而,室温下受限的链段运动导致离子迁移缓慢、离子电导率不足(10?7–10?5 S cm?1,25 °C)[7]。此外,与锂阳极的界面不稳定问题仍然十分突出,循环过程中持续的副反应会消耗活性锂,诱发锂的不均匀沉积和枝晶生长,最终导致电极/电解质接触失效和容量快速衰减 [8], [9], [10], [11], [12], [13], [14], [15], [16], [17], [18]。因此,同步提升离子传输能力和电极-电解质界面稳定性对于推进PVDF基固态锂金属电池(SSLMBs)的实际应用至关重要。
为克服这些限制,研究者提出并广泛探索了一系列有效方法。通过共聚或化学交联调节PVDF链段动力学已被证明是有效途径 [19],例如P(VDF-TrFE-CTFE)共聚物在25 °C下离子电导率可达3.10×10?4 S cm?1 [20],以及向PVDF中引入偶极缺陷增强Li+-偶极相互作用,使离子电导率达7.8×10?4 S cm?1 [21]。通过无机填料或添加剂改变化学环境提供了另一条路径 [22], [23]。例如,将苯磺酸锂(LBS)引入PVDF-HFP/LLZTO复合电解质可形成快速Li+传输通道并降低界面电阻,在25 °C下离子电导率达7.1×10?4 S cm?1,电池在?20至60 °C范围内均可稳定工作 [24]。同时,构建人工或原位固态电解质中间相(SEI)已被证明是稳定PVDF基复合电解质中锂金属阳极并抑制界面副反应的有效策略 [25], [26], [27],例如TiN纳米纤维可诱导形成基于LixTiN的SEI以抑制枝晶 [28],超薄的LiOH/LiNH2层可通过阻隔电子转移减轻副反应 [29]。
尽管当前策略已取得显著进展,但为同步提升体相离子传导和界面稳定性,仍需进一步探索。在体相优化方面,精准调控PVDF的结晶相结构是提升离子电导率的关键途径 [30], [31], [32], [33], [34], [35], [36], [37], [38]。在PVDF所展现的众多结晶多晶型中,β相因其强极性和高介电常数而尤为有利,可促进锂盐解离并进而提高离子传输 [39], [40], [41], [42], [43], [44]。例如,引入MoSe2调节PVDF链构象可诱导β相富集,显著提升介电常数和链极化能力,从而实现6.4×10?4 S cm?1的室温离子电导率 [45]。
然而,目前诱导β相形成的方法(包括机械拉伸、极性溶剂处理或引入特定填料)在很大程度上依赖于物理场或化学环境的宏观影响,在实现聚合物链原子尺度排列控制方面仍有改进空间 [46], [47], [48], [49], [50], [51]。相比之下,外延结晶策略提供了一种引人入胜的替代方案。通过合理选择与β-PVDF晶格匹配良好的模板材料,可引导聚合物链沿特定方向排列,从而在原子尺度上精确调控结晶行为。在这方面,锆基卤化物材料因其优异的电化学稳定性、结构可调性和与高压固态电池的兼容性而备受关注 [52], [53], [54], [55]。
本文在PVDF电解质中引入单斜Li2ZrF6(m-Li2ZrF6),同步调控PVDF的结晶相结构并构建动态自适应界面。如图1所示,m-Li2ZrF6的(100)晶面与β-PVDF具有极高的晶格匹配度,作为外延模板诱导β-PVDF取向结晶。高介电常数的β相为锂盐解离提供了有利环境,提升了离子电导率。与此同时,m-Li2ZrF6上由缺配位Zr4+产生的Lewis酸位点与FSI?通过Lewis酸碱配位相互作用,促进聚集型离子对(AGG)物种的生成。此外,在电场驱动下,m-Li2ZrF6在锂金属阳极上原位重构,形成富含三角晶系Li2ZrF6(t-Li2ZrF6)的坚固SEI层,其特征为低Li+迁移能垒,无机成分与来自AGGs的分解产物协同作用,有效抑制枝晶生长并促进长期界面稳健性。
得益于这些效应,含m-Li2ZrF6的复合电解质(PVDF-LZF)在25 °C下的离子电导率从0.29提升至0.86 mS cm?1。相应的Li//LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2(NCM811)电池表现出卓越的循环稳定性,在4.3 V、0.5 C下循环650次后保持95.6%的基准容量,在高截止电压4.5 V下循环300次后保持93.0%的原始容量。此外,在5 C的高倍率下也能实现稳定循环,循环650次后保留80%的初始容量。这些发现表明,通过外延结晶诱导的原子尺度相调控与强化的电极-电解质界面稳定化,可为构建高性能SSLMBs提供有效途径。
Wantao Meng|Yaojiang Yu|Jing Fan|Yuchen Wang|Henghui Xiao|Youtao Sun|Lin Li|Jiaxin Wei|Fangmin Ye|Yucheng Wen|Meinan Liu