3R相WSe2忆阻器中滑动铁电性与导电丝之间的相互作用，可购买

《Journal of Materials Chemistry C》：Interplay between sliding ferroelectricity and conductive filaments in 3R-phase WSe2 memristorAvailable to Purchase

　　

3R相二维材料中的滑移铁电性为下一代忆阻器提供了一条极具前景的路线，但其与导电细丝之间的耦合机制仍不明确。在此，我们报道了两种基于原位生长3R相（G-3R）和人工堆叠3R相（S-3R）WSe₂的忆阻器。由于滑移铁电性引起的电容效应，两种器件均表现出非零交叉的I–V特性。然而，该效应在G-3R器件中表现十分显著，而在S-3R器件中则被抑制，因为在S-3R器件中较高的Se空位浓度促进了导电细丝的形成，从而对铁电容性形成了短路。因此，我们进一步通过Ar⁺辐照在两类器件中引入了额外的Se空位，使其均表现出典型忆阻器的零交叉I–V迟滞特性。与此同时，该改性手段增强了G-3R器件的稳定性，并提升了S-3R器件的突触性能。值得注意的是，经辐照处理的G-3R器件可稳定完成超过1000次I–V扫描和10 000次脉冲循环，而利用辐照后的S-3R器件进行神经网络仿真时，Fashion-MNIST图像识别准确率可达95.10%。器件的电学特性由铁电极化与导电细丝之间的竞争行为所主导，而铁电内建电场则促进了阻变过程（通过DFT计算加以验证）。这种相互作用协同提升了3R相WSe₂忆阻器的性能，为高性能滑移铁电忆阻器提供了一种策略。

可视化摘要

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基于Ar⁺辐照S-3R忆阻器的突触功能进行仿真神经网络Fashion-MNIST图像识别，准确率达到95.10%，接近理想仿真值97.40%。

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基于Ar⁺辐照S-3R忆阻器的突触功能进行仿真神经网络Fashion-MNIST图像识别，准确率达到95.10%，接近理想仿真值97.40%。

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? 2026 作者。由英国皇家化学会出版

2026

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