综述：二维范德华反铁磁体：制备、探测、调控与应用

《Advanced Physics Research》：Two-Dimensional van der Waals Antiferromagnets: Fabrication, Probes, Control, and Applications

　　

二维范德华反铁磁体（2D vdW AFMs）已成为下一代自旋电子学和量子器件的有前景平台。与铁磁（FM）对应物相比，AFM表现出补偿的自旋构型，消除了杂散场，同时实现了超快自旋动力学、高集成密度以及对磁扰动的鲁棒性。层数受控合成、异质结构组装和先进磁表征技术的进展，使得能够在原子极限下探索和操控反铁磁（AFM）序，其中降低的维度和层间耦合会产生磁现象。本综述在磁态工程框架内总结了二维vdW AFM的最新进展，该框架将材料制备、序识别、磁控制和功能利用联系起来。研究人员比较了自上而下和自下而上的制备策略，评估了磁输运、光学和光谱技术、氮-空位（NV）磁测量以及基于X射线的探针，用于解析自旋构型、磁各向异性、磁畴和相变，并强调了通过场、界面工程和化学修饰对AFM态的控制。研究人员进一步综述了自旋滤波隧穿、拓扑量子态、光自旋电子学、太赫兹（THz）自旋动力学和层状交变磁体中的应用。最后，研究人员概述了在有序温度、环境稳定性、晶圆级合成、可重复的控制与读出以及器件集成方面的挑战。解决这些问题对于推进功能性自旋电子学和量子技术至关重要。

以下为论文主体部分的内容总结：

**1 引言**

自旋电子学利用电子自旋自由度进行信息处理，被认为是下一代电子学的有前景平台。与传统的基于电荷的器件相比，自旋电子器件具有非易失性、高速、低功耗和高集成密度等优势。目前最成熟的自旋电子学技术主要基于铁磁体（FMs），其自发磁化能够实现高效的磁切换，并支撑反常霍尔效应和反常能斯特效应等非常规输运现象。然而，FMs也存在固有局限：杂散场会导致磁串扰并阻碍高密度集成，自旋动力学通常限制在千兆赫兹（GHz）频段。反铁磁体（AFMs）为自旋电子学应用提供了有吸引力的替代方案。由于宏观尺度上磁矩补偿，AFM表现出可忽略的杂散场，并对外部磁场扰动基本不敏感。它们还支持太赫兹（THz）频段的自旋动力学，使其特别适合超快器件。然而，自旋补偿也削弱了常规磁信号，并使AFM态的确定性写入和电学读出变得复杂。传统的AFM薄膜需要复杂的外延生长，且结构可调性有限。二维（2D）材料的出现进一步扩展了AFM自旋电子学的版图。在二维极限下，磁性能可通过静电门控、应变、厚度和层间耦合有效调控。范德华（vdW）体系因其天然形成原子级平整且无悬挂键的清洁界面而尤为重要。二维vdW AFM兼具AFM序的固有优点与二维极限的可调性。其磁态可通过载流子掺杂、应变、厚度、堆叠顺序和层间杂化来调控。此外，vdW组装能够实现原子级控制界面的人工磁异质结构，而莫尔超晶格为调控交换相互作用、磁基态和集体激发提供了新机遇。二维vdW AFM的磁结构可根据自旋补偿发生在单层内还是相邻磁层之间进行大致分类。层内AFM包括MnPS₃中的Néel型序以及FePS₃、NiPS₃和α-RuCl₃中的之字形序。第二类为层间补偿AFM，其中铁磁有序层沿堆叠方向反铁磁耦合，例如双层CrI₃、CrSBr、MnBi₂Te₄和金属性FCGT。层状交变磁体进一步扩展了这一版图，将补偿磁序与对称性依赖的动量空间自旋分裂相结合。

**2 二维范德华反铁磁体的制备策略**

制备不仅是为获得薄样品，更是决定磁基态保持的关键因素。化学计量偏差、点缺陷、插层、衬底耦合和界面污染会重塑超交换路径、磁各向异性、自旋重取向场和磁转变温度。制备方法可分为自上而下的剥离法和自下而上的气相生长法，包括化学气相沉积（CVD）、物理气相输运（PVT）和分子束外延（MBE）。

**2.1 从块体单晶自上而下剥离**

机械剥离薄片仍是二维AFM基础研究的标准平台。高质量块体晶体通常通过化学气相输运（CVT）或助熔剂方法生长。机械剥离能最大限度地保持母体晶体的固有晶格完整性和低缺陷密度。该方法已实现多种vdW AFM的获取，包括CrCl₃、α-RuCl₃、CrI₃、FePS₃、NiPS₃、MnPS₃、CrSBr、CrPS₄和MnBi₂Te₄等。机械剥离还使得系统研究vdW AFM厚度依赖的磁性演化成为可能。例如，Ising型FePS₃的AFM序可保持至单层极限且Néel温度对厚度依赖较弱，而单层NiPS₃则表现出与六角磁各向异性相关的不同低温磁转变。传统机械剥离受限于横向尺寸小、产率低和重复性差。为此发展了等离子体预处理和金属辅助剥离等方法。金属辅助剥离可增强顶层粘附力，从而获得更大更薄的薄片，但可能引入金属残留、界面应变、电荷转移和表面污染。液相剥离（LPE）则提供了一条更具可扩展性的途径，可通过离子插层、离子交换和超声/剪切辅助剥离实现。LPE已成功用于制备保持AFM行为的二维CrCl₃纳米片，以及可加工成厘米级薄膜并保留自旋纠缠激子响应的NiPS₃。然而，不完全离子交换、残余离子或局部化学不均匀性可能导致非均匀掺杂和空间变化的磁相互作用。

**2.2 自下而上气相生长**

CVD为可扩展合成提供了较大灵活性，但对多组分vdW AFM而言，需同时控制前驱体挥发性和反应动力学。近期引入的减元生长策略通过动态重构简化前驱体组合，已实现FePS₃、MnPS₃、CdPS₃和In₂P₃S₉等二维过渡金属磷硫属化物的可控CVD生长。PVT主要涉及预先存在的同组分源材料的气相输运和再结晶。研究人员通过PVT直接从块体厚度生长至约0.63 nm单层厚度的CrCl₃薄片，且生长形貌强烈依赖于衬底：SiO₂/Si上倾向于较厚的垂直取向晶体，而HOPG和云母则促进更薄、更大横向尺寸的横向生长。少层CrCl₃隧穿结表现出与块体相当的Néel温度（约17 K）和面内磁各向异性。MBE则强调原子尺度外延控制在调控磁相和界面中的作用。对MnBi₂Te₄而言，Bi₂Te₃和MnTe二元相容易形成，而Bi₂Te₃ + MnTe → MnBi₂Te₄反应较慢，需匹配中间体生长速率并优化Mn/Bi通量比和衬底温度以提高相选择性。衬底选择显著影响外延取向、畴结构和形貌：在Si(111)上可形成具有孪晶畴的外延膜，BL-Gr导致0°和30°竞争取向，而在HOPG上优化生长可实现以七层为台阶的层状形貌。

**2.3 制备策略的方法选择框架**

机械剥离提供最高的结构和磁性保真度，适用于本征磁性研究，但产率和横向尺寸受限。LPE提高通量并支持溶液加工，但化学残留和结构无序可能损害磁均匀性。CVD适合大面积生长和直接衬底集成，但多组分体系对前驱体化学和相选择性要求严格。PVT可获得高结晶质量的超薄薄片且生长化学相对简单，但组分工程灵活性较低，且形貌演化强烈依赖衬底。MBE对相形成、厚度和界面提供最精确的控制，但工艺复杂且通量有限。进一步的发展需要协调可扩展性与化学计量、相纯度、缺陷、界面和磁态均匀性的可重复控制。

**3 反铁磁序的探测与表征**

由于补偿或近补偿自旋结构产生极小的净磁化强度，且原子级厚度进一步减小了可探测磁体积，因此可靠识别AFM序具有挑战性。每种探测技术可提供不同的磁信息，包括Néel矢量、层间自旋排列、自旋倾斜、磁畴、相变或场极化态。

**3.1 磁输运表征**

**3.1.1 各向异性磁电阻**

各向异性磁电阻（AMR）通过依赖于取向的电阻响应实现磁序的电学探测。在导电的vdW AFM半导体中，测得的信号通常被描述为AMR相关的角度磁输运而非传统AMR。CrSBr是典型代表：其A型AFM结构由铁磁层沿堆叠方向反铁磁耦合而成，面内易轴沿晶格b轴。磁输运测量显示大的负磁电阻（MR），反映了磁序与电荷输运的强耦合以及场驱动从AFM态到完全极化自旋构型的演化。MnSi₂Te₄则展示了面内电阻率各向异性和角度依赖MR，但其在远高于Néel温度（T_N=18.6 K）的100 K时仍有约42.5%的负MR，因此不应将其直接解释为长程AFM序的电学探针，而应归因于与宇称-时间对称性破缺相关的磁场诱导自旋分裂。

**3.1.2 自旋霍尔磁电阻**

对于绝缘或高阻二维AFM，可将其与具有强自旋轨道耦合（SOC）的非磁重金属（如Pt或W）组成异质结构，通过自旋霍尔磁电阻（SMR）效应进行电学读出。在FePS₃/Pt异质结构中，研究人员观察到由FePS₃磁表面织构产生的SMR响应，在7 T和5 K下约为0.1%，并可保持到室温。这表明SMR对场诱导倾斜和表面自旋构型高度敏感，即使体内AFM序基本补偿。

**3.1.3 隧穿磁电阻**

垂直结中的隧穿输运对层间自旋构型和堆叠依赖的磁序高度敏感。在石墨烯/CrI₃/石墨烯器件中，隧穿磁电阻（TMR）随层状AFM态演化为场极化态而急剧切换，多层CrI₃自旋滤波结的TMR高达19,000%。CrSBr少层垂直器件能够区分AFM态、中间态和场极化态，并能分辨具有相似净磁化的自旋构型。最近，PtTe₂/双层CrSBr/石墨烯结中通过自旋滤波隧穿检测到AFM共振，且PtTe₂电极产生的自旋轨道矩（SOT）可电学调谐阻尼。

**3.2 光学与光谱探针**

**3.2.1 拉曼光谱**

拉曼光谱可追踪磁相变和厚度依赖的磁序演化。FePS₃中AFM序诱导布里渊区折叠，激活新拉曼模式（如P1a）并增强P2；NiPS₃中AFM序通过双磁振子散射、P9模式的Fano耦合和P2劈裂反映；MnPS₃中AFM转变可通过P2声子模式的展宽、红移和谱重增强来识别，并可追踪厚度依赖的T_N。

**3.2.2 磁光克尔效应和反射磁圆二色**

在理想共线AFM中，一阶磁光信号通常较弱。磁光克尔效应（MOKE）和反射磁圆二色（RMCD）在存在非补偿磁矩、场诱导自旋倾斜或层间耦合时可灵敏检测AFM相关磁态。双层CrI₃中，低场下近零信号对应于补偿的层状AFM态，当垂直场超过临界值时发生变磁自旋翻转跃迁至FM态，导致磁光信号突变。

**3.2.3 二次谐波产生**

二次谐波产生（SHG）对对称性破缺和磁点群对称性敏感。当AFM序破坏反演对称性时，可产生磁电偶极SHG分量。单层MnPSe₃中面内Néel AFM序激活电偶极SHG响应，温度依赖SHG显示在AFM转变处的明显信号onset。偏振分辨SHG呈现二重各向异性模式，节点方向与Néel矢量取向相关。空间扫描SHG可分辨相反Néel矢量态对应的亮畴和暗畴壁区域。

**3.3 氮-空位磁测量**

金刚石中的氮-空位（NV）中心提供局域量子传感方法，可探测原子级薄磁体中的磁场和自旋涨落。NV磁测量可实现非侵入式访问磁构型、相变和自旋动力学。在CrSBr中，扫描NV磁测量定量绘制层依赖磁化和磁各向异性，并直接成像磁相变，包括双层自旋翻转跃迁过程中的相共存。在原子级薄CrPS₄中，扫描NV磁测量以纳米级空间分辨率分辨反相AFM畴，NV弛豫测量则提供层依赖自旋涨落信息。低温NV显微镜和自旋-晶格弛豫测量已用于探测CrCl₃纳米片不同磁相中增强的GHz磁涨落，并通过量子相干NV传感分辨了多层CrCl₃中的有限频率磁振子声学模式。

**3.4 X射线磁线性二色**

X射线磁线性二色（XMLD）测量两个正交线偏振间X射线吸收的差异，对磁轴取向敏感而非净磁化方向，因此特别适用于共线AFM。结合光电子发射电子显微镜（PEEM），XMLD可实现AFM畴和磁轴取向的空间分辨成像。单层FePS₃的Fe L₃边XMLD-PEEM测量揭示了补偿Ising型AFM序，具有单层灵敏度和纳米级空间分辨率。NiPS₃的XMLD-PEEM则用于成像多畴AFM态，并通过比较实验和模拟XMLD光谱确定局域Néel矢量取向。

**3.5 探测AFM序的方法选择框架**

每种探测方法针对AFM序的不同方面。对于导电或半导体的二维vdW AFM，AMR相关角度磁输运可提供可访问的电学探针，但需区分磁响应与普通MR、晶体各向异性、电流路径效应和接触电阻。对于绝缘或高阻AFM，SMR通过界面自旋流吸收和场诱导倾斜提供电学途径，但受界面质量影响较大。TMR对层状A型AFM的层间自旋排列和磁各向异性特别敏感，但需要良好控制的垂直异质结构。拉曼光谱可非侵入式追踪温度-和厚度-依赖的磁序演化，但需通过互补方法验证磁起源。MOKE/RMCD主要对非补偿、倾斜或场极化态敏感。SHG可实现对称性敏感的Néel矢量取向和AFM畴成像。NV磁测量提供局域磁场和自旋涨落的空间分辨信息，但对近补偿静态AFM态较难检测。XMLD提供元素特异性的补偿AFM序和磁轴取向检测，但需要同步辐射设施。

**4 二维范德华反铁磁体的控制策略**

控制AFM序需扰动由交换相互作用、磁各向异性、载流子密度、晶格畸变、塞曼能和界面耦合共同作用的能量平衡。

**4.1 外场控制和电学控制**

**4.1.1 磁场控制**

磁场通过塞曼能破缺时间反演对称性，并与层间交换相互作用和磁晶各向异性竞争，诱导多种磁相变。在二维A型AFM中，存在两种代表性切换模式：层间自由模式（如CrSBr和CrI₃）逐层翻转产生多步切换；层间锁定模式（如CrPS₄和MnBi₂Te₄）中Néel矢量协同切换，呈二元开关行为。CrSBr双层中，沿易轴约0.13 T的小磁场即可将层间AFM态切换至FM态，导致光致发光谱的突变红移和强度变化，反映磁性控制层间电子耦合。CrOCl中磁场沿易轴驱动连续磁相变，伴随结构畸变和拉曼声子模式位移/劈裂，表明磁序与晶格强耦合。

**4.1.2 电场控制**

电场通过载流子掺杂、垂直电场和磁电耦合调控磁性。双层CrI₃中，静电电子掺杂降低自旋翻转场并逐渐抑制AFM相，超过临界载流子密度约2.5×10¹³ cm^-2时双层演化为FM基态。面外电场还可产生层间电势差，在自旋翻转跃迁附近产生可观磁电响应。在NiPS₃中，电压不直接重构磁基态，而是通过载流子掺杂调节磁激子发射：负偏压下增强的p型掺杂抑制电子-空穴复合，导致光致发光强度显著抑制。

**4.1.3 铁电耦合电场控制**

铁电（FE）层可在移除写入电压后保持极化态，产生束缚电荷、界面电场和不对称静电势，从而调控载流子分布、层间电势差、磁各向异性和交换耦合。CrI₃/α-In₂Se₃异质结构中，反转FE极化实现非互易且非易失的磁化切换控制，电写磁转变窗口可保持24小时。本征vdW多铁材料也提供重要平台：NiI₂中非共线AFM序破缺反演对称性并产生电极化，少层器件显示面外FE极化和非共线AFM序共存，以及磁场对FE切换动力学的控制。CuCrP₂S₆中电场驱动的铁电转变通过Cu离子重排强烈改变层间磁耦合，表现为偏压依赖的TMR和磁场-电压相图。

**4.1.4 电流诱导自旋轨道矩控制**

SOT提供直接电流驱动写入AFM序的途径。在Pt/FCGT异质结构中，Pt中的电荷电流通过自旋霍尔效应产生横向自旋流，对相邻vdW AFM施加SOT。对于奇数层FCGT，小的非补偿磁矩固有地平行于Néel矢量，使霍尔电阻能够读出AFM态。在面内辅助场下实现电流诱导近180°Néel矢量翻转。在Pt/FCGT/CrSBr全vdW异质结构中，CrSBr的非共线界面自旋织构破缺镜面对称，提供有效对称破缺场，从而实现无场SOT切换。此外，PtTe₂/双层CrSBr/石墨烯隧道结中，通过PtTe₂产生的SOT可调谐AFM共振线宽，表明vdW异质结构可在同一器件中集成电学读出和扭矩控制。非共线和手性vdW AFM也扩展了电流驱动控制的范围：Ni_1/3NbS₂中电流驱动螺旋AFM自旋织构的集体旋转；Co_1/3TaS₂中电流脉冲切换拓扑自旋手性。

**4.2 界面调控**

**4.2.1 应变工程**

原子级薄2D晶体可承受超过10%的弹性变形。静水压力通过改变层间距和堆叠依赖交换来调控磁性。双层CrI₃在压力下从层间AFM态切换至FM态；三层CrI₃中压力产生一个FM相和两个AFM相共存的磁畴。FePS₃在压力下晶格压缩增强层间相互作用，中子衍射显示层间磁关联从AFM变为FM，而面内之字形AFM序基本保持；更高压力下进入金属相，长程磁序被抑制，出现短程磁关联。面内单轴应变通过降低晶体对称性实现对AFM序的控制。单层MnPSe₃中，单轴应变破坏面内旋转对称性，引入单轴磁各向异性，将Néel矢量锁定至应变定义方向，使系统从XY型AFM演化为应变控制的Ising型AFM。CrSBr中，低温压电应变装置施加连续单轴拉伸应变，当应变超过临界值时层间交换改变符号，在零磁场下发生可逆的AFM到FM转变。

**4.2.2 磁邻近效应和交换偏置**

磁邻近效应（MPE）将交换相互作用传递至相邻非磁层，诱导自旋分裂或有效交换场。在双层石墨烯/CrSBr异质结构中，邻近层间反铁磁CrSBr诱导自旋依赖电导，自旋极化率高达14%，并产生自旋依赖塞贝克效应。自旋输运对CrSBr最外层磁化高度敏感，从而实现对层状AFM中单个界面磁亚晶格的电学读出。单层WSe₂/CrI₃中，邻近交换场诱导自发谷激子塞曼分裂，层分辨研究表明电荷转移主要由界面CrI₃层控制，而邻近交换场依赖于CrI₃的完整层状磁构型。

交换偏置（EB）通过界面自旋钉扎稳定磁取向。在vdW异质结构中，EB表现为场冷却后磁滞回线的水平偏移。CrCl₃/Fe₃GeTe₂异质结构中，FM层与钉扎层之间的界面交换耦合产生单向各向异性。FePSe₃/Fe₃GeTe₂中EB依赖厚度和层间耦合；CrI₃/MnBi₂Te₄中EB依赖场冷却历史；CrSBr/Fe₃GeTe₂中EB由自旋织构介导；Fe₃GeTe₂基异质结构中氧化物或缺陷也可诱导类EB行为。仅靠偏移的磁滞回线不足以确定EB的微观起源，需通过系统场冷却/零场冷却对比、训练效应、厚度依赖和微观磁成像来区分本征AFM钉扎EB与外禀界面效应。

**4.3 化学插层和载流子介导控制**

分子插层利用vdW间隙插入客体离子或分子，扩大层间距并引入电荷转移，从而调控磁交换路径。在NiPS₃和FePS₃中，有机阳离子插层导致晶格膨胀和电子掺杂。适度的电子掺杂将原始AFM态切换为居里温度约100 K的亚铁磁相，而较重掺杂恢复AFM行为。FePS₃中四庚基铵（THA⁺）插层显示居里温度约110 K的亚铁磁性，而四丁基铵（TBA⁺）、四丙基铵（TPA⁺）和十六烷基三甲基铵（CTA⁺）插层保持AFM序但T_N降低。该现象源于载流子介导的Stoner交换与局域超交换之间的竞争，存在一个载流子浓度依赖的掺杂窗口。

**4.4 二维AFM控制策略展望**

磁场直接耦合自旋构型，用于解析相边界和特征能标，但全局性限制可扩展性。静电和铁电方法通过载流子重排、层间势和交换耦合调控磁态，FE极化提供非易失控制。SOT适合快速电学切换和动态操控，但受限于所需电流密度和确定性切换的对称条件。应变通过晶格变形改变交换和磁各向异性。界面邻近交换和自旋钉扎提供稳定磁构型的手段。化学修饰通过载流子和竞争交换重塑磁基态。组合控制方法可能提供更高效的操作：静电门控、FE极化和应变可移动相边界并降低开关阈值；界面耦合提供对称破缺；FE极化可稳定写入状态；化学修饰可宽范围调谐载流子密度。

**5 二维范德华反铁磁体的新兴应用**

**5.1 全二维自旋滤波隧穿结和磁存储器**

自旋滤波MTJ基于二维磁绝缘势垒中的自旋依赖隧穿。在层状A型AFM中，每个单层作为自旋选择势垒，总隧穿概率对层磁化相对排列高度敏感。CrI₃多层结的TMR约19,000%，相关器件的MR超过10⁶%。CrSBr基隧穿结的MR约47,000%。层状A型AFM的逐层切换自然产生多级电阻态，为多级存储提供物理基础。但大多数大MR仍在低温有限磁场下获得，需推进电学控制切换、零场状态保持和低读写能耗。

**5.2 拓扑量子平台**

MnBi₂Te₄是首个实验确认的本征AFM拓扑绝缘体。五七层薄膜在1.4 K零场下实现量子反常霍尔效应（QAHE），证明无磁掺杂的手性边缘输运。但稳健的量子化仍限于液氦温度。界面工程提供可能的解决方案：理论上MnBi₂Te₄/CrI₃异质结构通过界面磁邻近诱导面外表面磁性，计算交换偏置约40 meV，同时保持拓扑带结构。实验上已在CrI₃/MnBi₂Te₄中观察到交换偏置行为，证实界面磁耦合。

**5.3 光驱动超快自旋动力学**

FePS₃在强THz激发下形成具有有限净磁化的亚稳态，该状态在T_N附近持续超过2.5 ms。该效应源于THz脉冲驱动低能自旋-晶格模式，改变交换相互作用并支持净磁化构型。在磁临界点附近，增强的序参量涨落进一步稳定非平衡态。这展示了THz激发连接超快光驱动和长寿命磁保持的可能性。

**5.4 层状交变磁体：用于二维自旋电子学的自旋分裂补偿磁性**

交变磁体结合补偿磁序与自旋分裂电子结构。与常规共线AFM不同，交变磁体的相反磁亚晶格通过旋转、镜面、滑移或螺旋等晶体对称操作联系，产生交替的动量依赖自旋分裂。Rb_1?δV₂Te₂O被报道为层状室温金属性交变磁体，自旋分辨光电子发射显示晶体对称配对谷中相反的自旋极化，证实C配对的交变磁自旋-谷锁定。准粒子干涉测量显示谷间散射被强烈抑制，归因于相反自旋极化谷间的自旋选择定则。KV₂Se₂O展示金属性室温d波交变磁性，具有d波自旋-动量锁定、高度各向异性的自旋极化费米面和与交变磁相相关的自旋密度波序。层状插层过渡金属硫属化物也提供平台：CoNb₄Se₈在168 K以下具有易轴A型AFM结构，自旋翻转由镜面对称而非反演对称联系，能带计算显示相应的交变磁自旋分裂。共插层NbSe₂的自旋极化扫描隧道显微镜/谱（STM/S）显示与Co自旋构型相关的自旋依赖密度调制及其磁场演化。

**5.5 二维vdW反铁磁平台的应用导向比较**

自旋滤波隧穿系统（如CrI₃和CrSBr）依赖隧穿输运对层间自旋构型的高度敏感性，适用于自旋依赖输运和磁态读出。MnBi₂Te₄基拓扑平台利用AFM序与电子带拓扑的相互作用访问量子输运现象。过渡金属磷硫属化物（如FePS₃）支持THz自旋激发和自旋-晶格耦合动力学，适合超快磁过程研究。交变磁体结合补偿磁序和动量依赖自旋分裂，可在无净磁化条件下实现自旋极化电子态，但其应用潜力仍在探索中。

**6 未来机遇与关键挑战**

**6.1 迈向室温二维反铁磁性**

大多数代表性二维AFM的有序温度远低于室温。层状交变磁体如Rb_1?δV₂Te₂O和KV₂Se₂O通过高有序温度和自旋分裂电子结构提供补充材料平台。高通量密度泛函理论（DFT）计算、对称性筛选和机器学习辅助