通过沟槽结构抑制硅基 6047 像素每英寸超高分辨率白色串联有机发光二极管的电气串扰

《Scientific Reports》：Suppression of electrical crosstalk in 6047 pixel-per-inch ultrahigh-resolution white tandem organic light-emitting diodes on silicon via a trench structure

　　

摘要

由横向漏电引起的像素间电气串扰仍然是高分辨率有机发光二极管（OLED）显示领域面临的关键挑战，会导致全彩面板出现严重的色彩失真。本研究展示了一种将沟槽结构集成到6047像素每英寸（PPI）条纹型高分辨率像素结构中的方案，该方案可有效抑制硅基上顶发射白色串联OLED中的电气串扰。沟槽在底部电极之间的绝缘层中进行深层刻蚀，显著增加了横向漏电的有效路径长度。此外，截面透射电子显微镜观察表明，串联OLED有机层在沟槽侧壁上的厚度约为像素电极上厚度的七分之一，从而增加了方阻；仿真结果也进一步支持了这一结论。因此，在6047 PPI像素结构中，串联OLED的横向漏电减少了七倍以上。此外，二维光谱辐射测量结果显示，相对于活动像素的亮度，光泄漏到相邻关闭状态像素中的比例从约13–15%降低至约2%，与横向漏电的降低幅度高度一致。这些结果表明，沟槽结构提供了一种有效的策略，可抑制横向漏电并提高高分辨率OLED显示的色彩保真度。