基于无反射网络的双端宽带准无反射低噪声放大器设计与实现

《IEEE Microwave and Wireless Technology Letters》:K-Band Low-Noise Amplifier With Double-Ended Wideband Quasi-Reflectionless Characteristics

【字体: 大 中 小 】 时间:2026年09月15日 来源:IEEE Microwave and Wireless Technology Letters 3.4

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   摘要:本文报告了一种新颖的低噪声放大器(LNA)实现概念,该概念表现出双端宽带准无反射响应。其性能在 0.1 至 39 GHz 之间得到展示,通过在输入和输出端口整合并联无反射网络(RNs)实现了准无反射响应。通过在商用 0.15- μ 米砷化镓(GaAs)工艺中设计、制造和

  

摘要:

本文报告了一种新颖的低噪声放大器(LNA)实现概念,该概念表现出双端宽带准无反射响应。其性能在 0.1 至 39 GHz 之间得到展示,通过在输入和输出端口整合并联无反射网络(RNs)实现了准无反射响应。通过在商用 0.15- μ 米砷化镓(GaAs)工艺中设计、制造和表征 LNA 原型,对所提出的方法进行了实验验证。其中心频率为 18.55 GHz,3 分贝带宽为 5.1 GHz,最大增益为 13.1 dB,带内噪声系数(NF)在 2.5 至 3.0 dB 之间,0.1 至 39 GHz 之间的 9.5 分贝反射带宽。
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