基于 0.18 微米 SiGe BiCMOS 工艺的 3.5 至 12.5 GHz 差分 6 位双向移相器，具有 3°/0.48 dB 均方根相位/增益误差

《IEEE Microwave and Wireless Technology Letters》：A Differential 3.5-to-12.5 GHz 6-bit Bi-Directional Phase Shifter With 3°/0.48 dB RMS Phase/Gain Errors in 0.18-μm SiGe BiCMOS

　　

摘要：

本论文提出了一种用于相控阵的差分3.5–12.5 GHz 6位双向移相器（Bi-PS）。所提出的Bi-PS包含基于变压器的正交信号发生器、两级幅度均衡网络（AEN）以及可实现精确矢量调制的双相增益调制阵列（BP-GMA）。在AEN中，所提出的均衡拓扑结构在三个频点上实现了正交信号的增益平衡，扩展了增益一致性的频率范围，从而实现了宽带高精度正交信号生成。所提出的Bi-PS采用HHGRACE 0.18- μ m SiGe BiCMOS工艺实现，具有360°相移范围、通过直接数字控制实现的5.625°分辨率，以及<1 mW直流功耗。测量结果显示，在3.5–12.5 GHz带宽内，均方根相位误差为3° ~ 5.57° ，均方根增益误差为0.48~1.15 dB，输入P 1dB 高于15 dBm。芯片面积（含焊盘）为2.6 mm 2 。