《Cognitive Neurodynamics》：Before the task begins: linking resting-state gamma oscillations to face-name associative memory
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评估联想记忆，尤其是在面孔-名字关联等复杂范式中，能够监测认知功能。联想记忆的电生理相关物可为脑动态的功能作用提供基础洞见。本研究探讨了静息态脑电（resting-state EEG, rsEEG）光谱功率和相干性是否与意大利面孔-名字联想测验（Italian
评估联想记忆，尤其是在面孔-名字关联等复杂范式中，能够监测认知功能。联想记忆的电生理相关物可为脑动态的功能作用提供基础洞见。本研究探讨了静息态脑电（resting-state EEG, rsEEG）光谱功率和相干性是否与意大利面孔-名字联想测验（Italian Face-Name Association Test, ItFNAT）的表现相关。32名健康成人（平均年龄=23.28岁）在ItFNAT测试前进行了闭眼rsEEG记录，测试提供即时回忆（immediate recall, IR）、延迟自由回忆（delayed free recall, DFR）和延迟总回忆（delayed total recall, DTR）得分。研究人员分析了额叶、颞叶、中央和后部rsEEG光谱功率密度以及θ和γ网络相干性与测试得分的关系。高γ功率（high-gamma, h-γ, 51–100 Hz）与DTR表现显著相关，解释了约38%的调整方差。额叶和颞叶h-γ功率与DTR表现正相关，而后部h-γ功率呈负相关。此外，低γ相干性（low-gamma, l-γ, 30–49 Hz）与延迟回忆表现呈趋势性负相关。自发γ活动在健康成人中显示出与面孔-名字记忆表现的区域特异性关联，涉及额叶、颞叶和后部区域。这种区域模式可能代表联想记忆提取个体差异的神经生理相关物。
**研究背景**
脑振荡是皮层活动节律性的幅度和频率变化，可通过脑电图（electroencephalography, EEG）非侵入性观察和记录，反映健康与病理脑功能的基本认知和感觉过程。在记忆等高级认知域中，θ和γ活动在海马和前额叶等关键脑区最为普遍，并与学习和记忆密切相关。已有研究利用静息态脑电（resting-state EEG, rsEEG）描述自发神经动态，并考察其与记忆表现个体差异的关联。Manippa等（2025b）观察到，即时和延迟回忆表现与额叶和颞叶高γ活动（51–100 Hz）正相关，与中央和后部区域负相关；颞叶低γ活动（30–49 Hz）与延迟回忆正相关。这些区域发现为本研究的γ功率预期提供了主要经验基础。然而，以往工作多基于一般记忆测验，对于面孔-名字关联这一复杂联想记忆任务，静息态振荡的关联尚不明确。联想记忆需要整合情景记忆、视觉加工和言语提取，其能力在生理性衰老和神经退行性疾病早期常受损，早期检测具有重要意义。因此，研究人员将研究扩展至联想记忆领域，采用意大利面孔-名字联想测验（Italian Face-Name Association Test, ItFNAT），探讨静息态θ、低γ和高γ频带功率及相干性与联想记忆表现的关系。
**研究方法概述**
研究人员招募了32名健康年轻成人（19名女性，平均年龄23.28岁），通过滚雪球抽样自当地大学和社区，无神经精神疾病史。参与者签署知情同意后，完成爱丁堡惯用手问卷和认知储备指数问卷。实验包括2分30秒的闭眼rsEEG记录，随后执行ItFNAT。EEG数据采用19通道系统以500 Hz采样率采集，经滤波、伪迹子空间重建、独立成分分析等预处理后，使用Brainstorm工具箱计算功率谱密度（PSD），频段包括θ、α、β、低γ和高γ。电极按额叶、中央、颞叶和后部四个兴趣区（ROI）聚合。相干性分析在θ、低γ和高γ频段进行，涉及预定义的网络连接。统计采用多元线性回归和Spearman相关，并应用Benjamini-Hochberg FDR校正及bootstrap。
**研究结果**
**描述性统计与数据质量：** ItFNAT得分的平均值为IR=6.88（SD=3.78），DFR=8.84（SD=4.02），DTR=14.34（SD=1.70）。三个得分之间显著正相关（ρ介于0.675–0.789）。伪迹去除后平均保留96.19秒干净EEG数据；伪迹时长与ItFNAT表现无显著相关。
**回归模型：** 以高γ功率预测DTR的回归模型在FDR校正后仍显著（F(4,27)=5.718，p=0.002，校正后p=0.018，调整R
2=0.378）。其中额叶（β=0.990，p=0.006）和颞叶（β=0.643，p=0.037）高γ功率与DTR正相关，后部（β=-1.163，p<0.001）呈负相关。排除中央ROI后模型调整R
2升至0.384，bootstrap置信区间均不含零；排除颞叶ROI后模型仍显著，说明结果并非由单一区域驱动。低γ预测DTR和高γ预测IR的模型在FDR校正前显著，但校正后未达到显著。
**相干性分析：** 在θ、低γ和高γ频段，各网络相干性与ItFNAT得分的Spearman相关均未在FDR校正后达到显著。最小的校正后p值为0.066，对应三个低γ相关。趋势上，额-顶低γ相干性与DFR和DTR负相关，颞-顶低γ相干性与DFR负相关，表明较低静息态γ连接可能与较好的延迟回忆表现有关，但该结果为探索性发现。
**讨论与结论**
本研究表明，静息态高γ功率与面孔-名字联想记忆的延迟总回忆显著相关：额叶和颞叶高γ功率越高、后部高γ功率越低，DTR表现越好。这与文献中高γ在长期情景记忆中的功能一致。额叶和颞叶的高γ可能反映执行监控和记忆整合过程，而后部高γ负相关的机制尚不确定，一种解释是基线皮层兴奋性或兴奋-抑制平衡的个体差异。相干性分析显示的趋势与任务态研究中“
