一种适用于柔性射频氮化镓功率放大器的低温包装方法

《IEEE Microwave and Wireless Technology Letters》：A Low-Temperature Packaging Method for Flexible RF GaN Power Amplifiers

　　

传统的柔性包装工艺存在高温引发的热应力问题，这往往会导致柔性射频（RF）芯片的包装失效。本文提出了一种低温（60?°℃）的封装方法，用于柔性砷化镓（GaN）功率放大器（PA）。该方法使用室温（RT）可固化的银浆进行金带粘接，并应用RT可固化的封胶材料进行保护。实验结果表明，该封装的PA在1.7GHz时小信号增益为9.7dB，在弯曲（R=3厘米）条件下，增益仅下降了0.1dB以下。在相同的弯曲条件下，饱和输出功率（Pout）和峰值功率附加效率（PAE）分别下降了0.7dBm和7.3%。这些结果证实，所提出的方法能够保持RF性能和机械柔韧性，为将柔性GaN PA集成到可重构RF前端提供了可行的途径。