高性能大面积氮化铝基真空紫外成像探测器

《Advanced Optical Materials》：High-Performance Large-Format AlN-Based Vacuum Ultraviolet Imaging Detector

　　

摘要

真空紫外（VUV，10–200 纳米）成像具有独特的优势，包括可以直接观测绝缘样品并具有纳米级高分辨率，且无需突破衍射极限。氮化铝（AlN）已被证明是制造高性能真空紫外阵列探测器的有效材料。然而，像素格式仍然有限，阻碍了其在高分辨率成像中的应用。扩大像素阵列在保持优异器件性能和实现每个像素的数据读出方面仍面临重大挑战。在这项工作中，我们展示了一种具有 Pt/AlN/n-SiC 异质结构的 16 × 16 像素阵列探测器，其响应度为 52.27 mA·W?1，光电比约为 10?，时间响应为 15.4 纳秒（上升时间）和 30.9 纳秒（衰减时间）。通过自定义设计的读出电路，实现了每个像素的自动数据采集。该器件在相邻像素之间没有明显的串扰，像素良率达到 98.4%。采用双线性插值来补偿缺陷像素，并生成插值渲染图像以提高显示质量。这项工作为基于氮化铝的更大像素格式阵列探测器在高分辨率真空紫外成像方面提供了一条有前景的途径。

利益冲突

作者声明不存在利益冲突。

数据可用性声明

支持本研究结果的数据可在合理请求下向通讯作者获取。