以二维半导体性过渡金属硫属化合物(STMDCs)为代表的二维半导体材料具有原子级厚度、无悬挂键的平整表面、合适的带隙、较高的迁移率、强的光-物相互作用等优势,可用于构筑亚纳米晶体管并有效降低器件功耗,进而实现三维异质异构集成,是延续集成电路摩尔定律的重要候选材料。大尺寸单层STMDCs单晶晶圆的可控制备是实现其在集成电路中应用的关键,而实现这一目标的前提是选择并设计合适的单晶基底以诱导上层STMDCs的单一取向生长,进而使其无缝拼接形成单晶晶圆。目前绝缘性的蓝宝石基底因其价格低廉、热稳定性好、与半导体工艺兼容等优势,逐渐成为理想的外延生长基底,然而蓝宝石基底在高温退火后会形成高