• 在低镍/锰比例的富锂层状氧化物中，通过低温处理实现锂（Li）和镍（Ni）的混合，从而制备出高性能电极

  高镍低钴层状氧化物电极材料通过优化合成温度和低镍钴摩尔比实现结构稳定与循环性能提升，700℃合成且Ni/Mn=1:4.5的L70样品在1C倍率下循环100次容量保持率近100%。

  来源：Materials Today Energy

  时间：2026-02-13

• 基于第一性原理原理对二维MoTe₂材料作为锂/钠/钾离子电池高性能通用阳极性能的研究

  本文采用第一性原理计算系统评估二维MoTe2作为锂钠钾离子电池阳极的结构稳定性、电子特性及电化学性能。结果表明，MoTe2具有优异的半导体特性和结构稳定性，锂、钠、钾离子吸附能分别为-1.573 eV、-1.217 eV和-1.534 eV，离子扩散势垒低（0.05-0.60 eV），高离子覆盖率和合适的电压窗口表明其具备快速充放电和高能量密度潜力，为新型储能材料设计提供理论指导。

  来源：Materials Science in Semiconductor Processing

  时间：2026-02-13

• 关于In0.28Ga0.72N/GaN多量子阱（MQW）太阳能电池中正温度效应的研究

  本文通过实验与Silvaco模拟研究In0.28Ga0.72N/GaN MQW太阳能电池的正温度效应，发现禁带宽度变窄和载流子浓度增加共同作用导致效率提升，模拟与实验误差小于6%，为高温应用提供依据。

  来源：Materials Science in Semiconductor Processing

  时间：2026-02-13

• 钛、铜和铝的冷喷涂增材制造过程中，微观结构与性能的不一致性

  冷喷涂沉积层中不同材料（Ti、Cu、Al）的tamping效应导致显微结构（变形、再结晶比例）和力学性能（硬度、塑性、抗拉强度）沿层深显著变化，钛层晶粒粗化明显，铜层动态再结晶达60%，铝层顶部出现脆性转变。

  来源：Materials Science and Engineering: A

  时间：2026-02-13

• Sn-Bi-In多主元素焊料对热迁移的阻碍效应

  Sn-Bi-In焊料在热迁移测试中表现出更高的激活能（158.40 kJ/mol）和更低的原子通量，显著抑制Cu扩散导致的界面化合物生长，其抗热迁移性能优于SnCu0.7和Sn58Bi焊料，为3D集成电路可靠连接提供新方案。

  来源：Materials Science and Engineering: A

  时间：2026-02-13

• 在硅电子器件中，通过原子级别的工程化手段实现各向异性的热传输，从而实现定向散热

  本文利用机器学习势能和第一性原理计算，研究mC8-Si、oC24-Si和tP6-Si三种硅晶体的热传导各向异性，发现其室温热导率各向异性比达1.7和2.3，光声子分支主导方向性热传导，并通过有限元法验证原子级工程对器件热管理的有效优化，提出无需外部因素的热管理策略。

  来源：Materials Today Physics

  时间：2026-02-13

• 利用III族掺杂剂对二维单层SiC进行缺陷工程调控，以提升电子器件的性能

  采用混合密度泛函理论探究了B、Al、Ga、In、Tl在2D单层SiC中的缺陷浓度与电子磁性质，发现B在C位最稳定，Tl最不稳定，低温下B在C位浓度高，高温时Ga在Si位浓度显著。C位掺杂引入mid-gap态和磁性，Si位掺杂则保持非磁性。该研究为高温电子器件开发提供了理论依据。

  来源：Materials Science in Semiconductor Processing

  时间：2026-02-13

• ZnO单晶初始塑性变形的各向异性机制：纳米压痕测试与分子动力学模拟

  ZnO单晶各向异性塑性变形机制研究通过纳米压痕与分子动力学模拟揭示，不同晶面（c/m/a）在临界载荷、位错形核及相变行为上存在显著差异，接触模量分别为119.2/133.3/150.0 GPa，激活体积分别为1.03/0.43/0.39 ų。

  来源：Materials Science in Semiconductor Processing

  时间：2026-02-13

• 将S、C、S、线性物质以及Na2S掺入化学蚀刻的多孔硅基体中：热电性能研究

  纳米多孔硅中硫同素异形体与硫化钠掺杂提升热电性能研究。通过化学蚀刻制备具有亲水/疏水多孔结构的p-Si，并嵌入S8、S线性形态及Na2S，利用XRD、ATR-IR和SEM表征材料特性，测试305-525K范围内的热电参数。Na2S:p-Si和S8:p-Si复合材料分别实现ZT≈0.24和0.16，证实纳米多孔结构结合硫基掺杂可优化热电转换效率。

  来源：Materials Science and Engineering: R: Reports

  时间：2026-02-13

• 通过高密度电脉冲处理，实现低温轧制纯铜的回收及强度保持

  冷轧与电脉冲协同处理纯铜实现强度塑性平衡优化，通过冷轧引入多级缺陷协同强化系统提升强度，但导致塑性下降。电脉冲处理通过调控位错结构（减少缠结、增加Σ3孪晶界比例）和优化织构分布，在保持323.5-353.7MPa高强度的同时将延伸率从8%提升至10.3%，解决了传统冷轧-退火工艺的强度-塑性倒置矛盾。

  来源：Materials Science and Engineering: A

  时间：2026-02-13

• Fe₃O₄-CNFs@MXene复合材料结合封装的磁性纳米颗粒，通过双电磁波损耗途径实现可调的高性能微波吸收

  通过电纺技术制备核壳结构碳纳米纤维@Fe3O4@MXene复合材料，有效调控磁性纳米单元的微尺度分散（长程隔离、短程分散、紧密堆积），优化微波吸收性能，在4%铁氧体填充量、1.5mm厚度下实现-70.87dB反射损耗和6.56GHz有效吸收带宽，并验证隐身性能与微观损耗机制。

  来源：Materials Today Physics

  时间：2026-02-13

• 通过界面调控增强载流子迁移率并确保操作稳定性的2O3/Mo-PrInO异质结构薄膜晶体管

  研究采用异质结叠层薄膜设计策略，通过溶液法制备高迁移率In₂O₃层与高稳定性Mo-PrInO层，优化堆叠顺序以调控界面势垒和载流子分布，显著提升器件迁移率（39.3 cm²/V·s）和稳定性（阈值电压漂移-0.77 V至0.61 V），解决传统氧化物半导体中迁移率与稳定性难以兼顾的问题，为柔性电子器件开发提供理论依据。

  来源：Materials Science in Semiconductor Processing

  时间：2026-02-13

• 通过调节控制提高发射效率：阐明AlGaAs插入层在InAlGaAs/AlGaAs量子阱中的作用

  InAlGaAs/GaAs量子阱中引入超薄AlGaAs插入层可显著提升短波长近红外（770-780 nm）激光性能，优化层厚度（3 nm）和Al组分（0.2）使界面质量、载流子 confinement及热稳定性同步改善。

  来源：Materials Science in Semiconductor Processing

  时间：2026-02-13

• 通过柠檬酸溶胶-凝胶自燃法制备RE-Yb3+掺杂的CuMg纳米颗粒，用于磁电应用：研究其结构、光学、电学和磁学性质

  Yb掺杂Cu-Mg-Fe-O4纳米 Ferrite通过柠檬酸溶胶自燃法合成，XRD显示立方尖晶结构，平均晶粒尺寸36.38 nm。FE-SEM和TEM表明Yb³⁺掺杂优化了颗粒分散性并略微增大尺寸，FT-IR验证了Fe-O键特征峰。光学带隙从3.35 eV降至2.81 eV，电阻率随温度升高而下降，介电性能符合标准模型。CMYF-5样品矫顽力达204.44 Oe，饱和磁化率21.799 emu/g，适用于高频器件、磁记录及磁电复合材料。

  来源：Materials Science and Engineering: R: Reports

  时间：2026-02-13

• 通过晶界偏聚和变形机制调控，改善镁合金中晶界的内聚力和塑性

  镁合金晶界偏析与变形机制研究：通过对比Mg-2Zn和Mg-2Al合金的滑移、孪生及裂纹扩展行为，发现Zn的晶界偏析增强界面结合力，抑制裂纹萌生，而Al合金因偏析不足导致局部应力集中，裂纹快速扩展。研究揭示了溶质元素晶界偏析对塑性及断裂的关键作用。

  来源：Materials Science and Engineering: A

  时间：2026-02-13

• 具有多层网络的复杂金融系统的风险传染效应与稳定性分析

  本文构建基于银行间借贷、交叉持股及共同资产的多层数值网络金融系统，揭示多通道风险传染机制，提出涵盖违约与困境传染的估值函数，并通过数值模拟验证不同网络结构对金融系统稳定性的影响，为理解现实金融风险传染提供理论依据。

  来源：Mathematics and Computers in Simulation

  时间：2026-02-13

• 具有协同界面耦合特性的NiCo磷化物，可实现高性能超级电容器

  本研究通过热解和磷化策略成功制备了具有空心立方形貌的Ni2P/CoP3异质结构电极材料。结合DFT计算和电化学测试，证实该材料具有高比电容（1129.5 C g−1）、优异循环稳定性（95%容量保持率，18000次循环）及高效电荷传输机制。基于该电极的杂化超级电容器展现出89.1 Wh kg−1能量密度和1600 W kg−1功率密度，为高能密度储能器件开发提供新思路。

  来源：Materials Today Chemistry

  时间：2026-02-13

• 银丘和铜扩散对直冷SiC功率半导体模块中银烧结键合的对比效应

  Ag无阻挡层铜基板预激活凸点形成机制及对烧结强度影响研究。摘要：通过研究175-300℃预热对Ag镀铜基板表面形态的影响，发现温度超过250℃时热膨胀系数 mismatch引发Ag凸点生长，同时Cu通过氧迁移通道扩散到Ag表面形成氧化合物（高度达1μm），导致烧结强度下降（175℃时43MPa降至300℃的26MPa）。实验证实表面腐蚀和应力共同作用主导烧结性能变化，为电动汽车功率模块散热设计提供理论依据。

  来源：Materials Science in Semiconductor Processing

  时间：2026-02-13

• As₂S₃掺杂对Ge₂Sb₂Te₅薄膜结构、光学和电学性质的影响（该薄膜用于相变存储器）

  As₂S₃掺杂显著抑制Ge₂Sb₂Te₅薄膜结晶，提升非晶态稳定性，10年数据保留温度达106.7°C，阈值电流降低，COMSOL模拟显示热confinement增强和局部加热优化，为高温低功耗相变存储器提供新方向。

  来源：Materials Science and Engineering: B

  时间：2026-02-13

• 碳化物在航空航天用4340钢和300M钢的氢渗透行为及机械性能退化中的作用

  氢脆行为及碳化物影响研究：比较4340与300M钢的氢扩散、渗透及剪切冲压测试结果，揭示（Cr,Mn）与（Mo, Si）碳化物对氢陷阱密度及抗氢脆性能的差异，发现300M低氢时抗氢脆更优但高氢下强度骤降，而4340呈现线性强度衰减。

  来源：Materials Science and Engineering: A

  时间：2026-02-13

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