• 伪串联谐振CMOS振荡器

  提出一种基于伪级联谐振（pseudo-SR）技术的单核低相位噪声数字控制振荡器（DCO），采用变压器谐振器实现低阻抗180°相移，使单级振荡降低功耗，并通过谐振频率对齐抑制闪存噪声。在28nm CMOS工艺下，实现-128.7/-124.1 dBc/Hz相位噪声（1MHz偏移），功耗33.5-36.3mW，面积0.16mm²。

  来源：IEEE Journal of Solid-State Circuits

  时间：2026-02-25

• 利用3D打印声学反射器提高MEMS谐振器的Q因子

  MEMS谐振器通过低成本声反射结构提升空气环境下的品质因数，发现最佳反射间隙接近λ/4和3λ/4，并利用3D打印凹面球帽重构声场，使47kHz谐振器Q值从50增至117，在10 Torr低气压下仍保持与裸器件相同的Q值，为替代真空封装提供新路径。

  来源：Journal of Microelectromechanical Systems

  时间：2026-02-25

• 具有全环绕通道（CAA）结构的垂直铁电-金属场效应晶体管（V-FeMFET）

  HfO2基铁电场效应晶体管（FeFET）的非易失性存储器应用受限于传统MFIS结构存储窗口窄和循环耐久性差的问题，本研究提出垂直FeMFET结构，通过MFM-MIS双电容设计优化面积比，在低电压高速条件下实现3.0V宽存储窗口并提升耐久性，TCAD仿真验证了机制。

  来源：IEEE Transactions on Electron Devices

  时间：2026-02-25

• 通过模拟真空电容来计算体积平均的受空间电荷限制的电流密度

  本文利用COMSOL Multiphysics静电模拟，无需粒子或时域计算，验证了1D、2D和3D几何结构下体积平均空间电荷限制电流密度（VASCLCD）的准确性。研究表明，3D结构中边缘场（CFFs）影响显著，但当几何接近二维时，差异减小，证明该模拟方法有效。

  来源：IEEE Transactions on Electron Devices

  时间：2026-02-25

• 一种用于UHF/2.45/5.8 GHz RFID读写器的低轮廓圆形极化共孔径天线

  提出一种低剖面三频段圆极化共孔径天线，用于RFID阅读器。通过TM10和TM30模式实现UHF和2.45GHz双频段，结合超表面构建5.8GHz低剖面法布里-珀罗腔。采用90度功分器馈电UHF/2.45GHz波段，旋转贴片阵列馈电5.8GHz波段。实测0.905-0.926GHz、2.36-2.48GHz、5.16-6.00GHz频段，峰值增益7.7/12.8/15.5dBic，整体尺寸0.61λ×0.61λ×0.03λ。

  来源：IEEE Antennas and Wireless Propagation Letters

  时间：2026-02-25

• 体外膜氧合在伴有急性呼吸窘迫综合征的创伤性损伤中的应用：一项系统评价和荟萃分析

  ECMO在创伤性ARDS中显著降低死亡率（OR 0.29），尤其静脉-静脉模式效果更优（OR 0.19），但ICU停留时间延长1.54天，并发症无差异，需更多前瞻性研究验证。

  来源：Journal of Trauma and Acute Care Surgery

  时间：2026-02-25

• 探索二维石墨烯同素异形体在毫米波传感和自主设备中的振动行为

  石墨烯衍生物（α,β,γ-GY）作为毫米波雷达接收材料，通过结合连续力学理论和分子动力学模拟，研究其弯曲刚度、拉伸行为、共振频率及机械稳定性与毫米波吸收的关联。结果表明α-GY在40-60 GHz（U）、60-90 GHz（E）、110-170 GHz（D）频段吸收最佳，β-GY在90-140 GHz（F）、50-75 GHz（V）、75-110 GHz（W）最优，γ-GY则在50-75 GHz（V）、75-110 GHz（W）、30-50 GHz（Q）表现优异，机械稳定性和振动模式与电磁吸收能力呈负相关。

  来源：IEEE Transactions on Nanotechnology

  时间：2026-02-25

• 高性能1200伏p-GaN栅极HEMT，采用标准650伏GaN-on-Si外延晶圆

  电动汽车高压化推动1200V GaN-on-Si功率器件需求，研究通过浮动衬底结构将击穿电压提升至2001V，并采用虚拟体设计有效缓解背栅效应，使动态电阻比从2.25优化至1.18，同时保持长期反向偏置稳定性，提供了一种低成本解决方案。

  来源：IEEE Transactions on Electron Devices

  时间：2026-02-25

• 孔状铜凸点的低温粘合工艺，采用1.5微米的微间距

  多孔铜键合技术实现1.5μm微间距连接，通过选择性去除Cu-Sn中间相中的Sn元素制备多孔铜层，利用其高表面能和(111)晶向特性在200℃、10MPa条件下实现低温直接键合，避免CMP工艺导致的小立柱焊球塌陷问题，测试表明获得无缺陷高强度的可靠连接。

  来源：IEEE Transactions on Electron Devices

  时间：2026-02-25

• 一款工作频率为21.6–37.1 GHz的低噪声放大器，具有1.9–2.6 dB的噪声系数（NF），实现了双极带宽扩展功能

  宽带低噪声放大器采用磁耦合谐振器输出级和耦合电感扩展双极点带宽，在130nm SiGe BiCMOS工艺下实现21.6-37.1GHz谐振，峰值增益21.5dB，噪声系数1.9-2.6dB，输入1dB压缩点稳定，功耗14.5mW，适用于Ka波段毫米波系统。

  来源：IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers

  时间：2026-02-25

• 一种60 GHz低噪声毫米波分频器无级联的分数N阶锁相环（PLL），在28纳米（28-nm）CMOS工艺中实现了-250.2 dB的相位噪声（FOMJ）

  采用级联结构设计，在55.8-64.2 GHz毫米波频段实现低功耗高精度锁相环。第一级通过全差分电压模量化噪声消除（FDVD-QNC）方案，在0.64 mW功耗下实现0.08 mV分辨率和1 LSB INL精度，使RS-PLL达到48.4 fs RMS抖动和-62.8 dBc分数 spur。第二级采用开关电容频率电压转换器（SC-FVC）构建的FLL，消除传统毫米波分频器需求，448 ns内完成频率捕获。整体28nm CMOS芯片面积0.33 mm²，功耗28.4 mW，实现-250.2 dB FoM。

  来源：IEEE Journal of Solid-State Circuits

  时间：2026-02-25

• AraOptical测试平台：采用商用现成（COTS）收发器的远程FSOC系统的设计、现场试验与信道分析

  提出基于COTS 10G SFP+的araoptical自由空间光通信（FSOC）测试床，集成于ARA无线生活实验室，配备多级自主对准算法和实时链路监测，在动态气象条件下实现稳定高吞吐通信。通过2小时UDP比特率测试和环境数据记录，开发两阶段多项式回归模型预测折射率结构参数C₂和链路吞吐量，湍流估计R²达89.92%，吞吐量预测R²为62.22%，验证了环境传感与数据驱动模型在FSOC性能表征中的可行性。

  来源：Journal of Lightwave Technology

  时间：2026-02-25

• 基于ZrO2的AFTJ器件实现低于1.2伏的开关电压，并显著提升突触权重细胞的耐久性

  来源：IEEE Transactions on Electron Devices

  时间：2026-02-25

• 采用混合铁电电荷陷阱栅极堆叠结构的增强型AlGaN/GaN HEMT在低温条件下的电学特性研究

  该研究制备了具有6nm AlGaN异质结势垒和混合铁电门电路的HEMT，实现了E模式工作。在4K下获得亚阈值斜率47.5mV/dec，20K时最大漏电流1.055A/mm，4K时开关比达6.6×10^12。铁电门堆叠结构在低温下保持稳定功能，温度依赖分析揭示了载流子传输机制和迁移率退化规律。

  来源：IEEE Transactions on Electron Devices

  时间：2026-02-25

• 基于低轮廓多模谐振器的宽带双极化滤波阵列天线，具备双OAM（轨道角动量）波束特性

  一种基于低剖面多模谐振器的宽带双极化滤波天线阵列设计，通过耦合TE211非带外模式与带内TE111、TE121、TM10模式，在通带两侧引入传输零点，扩展带宽至32.7%（2.92-4.05 GHz）。该阵列采用共极化滤波电路设计，通过超表面辐射元实现三组正交OAM波束（+1,-1）、（0,+1）、（-1,0），实测主动VSWR<2，增益8.2-10.1 dBi，带外抑制≥17.1 dB。

  来源：IEEE Antennas and Wireless Propagation Letters

  时间：2026-02-25

• 通过可解释的流间时空图和流内特征来提升入侵检测能力

  来源：IEEE Transactions on Network Science and Engineering

  时间：2026-02-25

• 宽禁带和超宽禁带半导体的温度依赖性击穿电压

  来源：IEEE Transactions on Electron Devices

  时间：2026-02-25

• 得益于富TiO2界面层的ZrO2反铁电电容器的非挥发性半循环操作

  氧化锆基铁电电容通过优化后沉积退火温度（450℃）和底部电极氧处理时长（5分钟），实现不对称电极结构6纳米厚ZrO2层薄膜的非易失性半循环操作，在极低电压下获得16.29 μC/cm²双剩余极化及10¹⁰次循环耐久性和10秒保持率，密度泛函理论模拟表明TiO2富集界面层降低极化切换势垒。

  来源：IEEE Transactions on Electron Devices

  时间：2026-02-25

• 基于Mercurial的安全认证与声誉框架，适用于多情境元宇宙

  数字化身匿名认证与隐私保护机制研究。本文提出SPARTA协议，通过可变签名实现元宇宙中数字化身的多重匿名身份分离，结合时间哈希链构建声誉反馈系统，利用零知识证明确保声明可信性。实验表明该协议具有105ms的低端到端延迟，较现有方案提升约23%性能效率。

  来源：IEEE Transactions on Dependable and Secure Computing

  时间：2026-02-25

• 关于心脏磁共振成像（CMR）与计算机断层扫描（CT）在左心功能评估方面的一致性研究

  肾透明细胞癌转移灶的CT显影效果比较研究显示，双期扫描（split-bolus）较单次注射（single-bolus）显著提高对比剂噪声比（CNR 3.0 vs 1.4），尤其在胰腺（48.5%）、肌肉（28.8%）和肝脏（22.7%）转移灶中更易检出，且对比剂用量更少。

  来源：Journal of Computer Assisted Tomography

  时间：2026-02-25

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