• 具有发射机侧信息的多窃听者相关对数正态阴影信道物理层安全性能分析

  在无线通信技术飞速发展的今天，第五代和第六代(5G/6G)无线系统以及大规模物联网(IoT)部署已经深入军事、金融、社交平台等各个领域。然而，无线传输的广播特性使其天生容易遭受窃听和拦截威胁。虽然上层加密和入侵检测方案(如AI驱动的双注意力框架和混合遗传算法检测模型)能提供一定保护，但它们无法消除物理层固有的安全漏洞。传统物理层安全(PLS)研究存在明显局限性：要么在相关衰落信道下只考虑单个窃听者（无论是否存在发射机侧信息(SI)），要么在独立衰落信道下分析多窃听者（但缺乏SI）。这两种简化假设都无法准确反映现实无线环境——实际中，由于天线间距限制或共享传播环境，信道往往呈现相关性；同时，现代

  来源：IEEE Open Journal of the Communications Society

  时间：2025-12-12

• FP2：一种用于边缘人工智能推理和微调的2位浮点格式

  摘要：随着深度神经网络（DNN）规模的不断扩大，2位量化对于缓解边缘设备上的内存瓶颈变得至关重要。低位宽度的浮点格式因其更宽的动态范围和无需进行量化步骤而成为固定点量化的有力替代方案。然而，构建少于3位的有效浮点表示仍然具有挑战性，因为传统格式至少需要一个符号位、一个指数位和一个尾数位。我们通过引入一种新的数据压缩方法来应对这一挑战，该方法使用4位编码空间来表示两个浮点值，从而实现了每值2位的有效存储密度。根据指数位和尾数位的位宽，我们提出了两种不同的2位浮点编码方式：fp2-e1m0和fp2-e0m1。基于fp2，我们设计了两种计算架构，将浮点乘累加（MAC）操作简化为位运算和逻辑运算，使得

  来源：IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers

  时间：2025-12-12

• 在患有上呼吸道感染的儿童中，拔管前使用低剂量丙泊酚：一项关于拔管相关不良事件的前瞻性随机对照试验

  该研究针对儿童腹部手术合并上呼吸道感染（URTI）患者，评估低剂量丙泊酚（0.5mg/kg）在拔管前应用对围术期呼吸道不良事件（PRAEs）的影响。研究采用单中心、前瞻性随机双盲对照设计，纳入144名符合标准的1-6岁患儿， ASA分级II-III级，均接受气管插管全身麻醉。主要观察指标包括拔管后PRAEs发生率、术后咳嗽持续时间、ICU转诊需求等。一、研究背景与临床意义儿童麻醉中呼吸道并发症发生率高达30%，其中URTI患者风险更高。传统管理方式存在争议，部分医院选择推迟手术，而另一些采用深度麻醉拔管等不同策略。本研究聚焦于一种创新性给药方案——拔管前静脉推注低剂量丙泊酚，其临床价值主要体现

  来源：World Journal of Pediatric Surgery

  时间：2025-12-12

• 中国胃癌手术的质量与医疗资源利用情况：基于“胃肠外科手术后并发症发生率”研究的事后分析

  中国胃癌手术质量、安全性与医疗资源利用的全国性研究解读一、研究背景与核心问题胃癌作为全球第三大癌症死亡原因，其手术质量与医疗资源配置始终是临床关注重点。尽管中国近年开展多中心研究（如CLASS项目）取得进展，但缺乏覆盖全国、多类型医院的系统性评估。本研究通过PACAGE数据库（2018-2020年收集2271例手术数据），首次构建全国性胃癌手术质量评价体系，重点解决三个核心问题：1. 中国胃癌手术并发症发生率与国际标准对比2. 不同手术方式对医疗资源消耗的影响3. 中国医疗体系在并发症管理中的成本效益特征二、研究方法创新性研究采用混合方法学，突破传统单中心研究的局限：1. **数据采集体系**

  来源：BMJ Surgery Interventions & Health Technologies

  时间：2025-12-12

• 综述：英国和爱尔兰心胸外科协会关于成人二尖瓣疾病及干预措施的指南

  英国及爱尔兰心脏胸外科协会（SCTS）最新发布的成人心脏瓣膜疾病管理指南，系统梳理了从疾病评估到手术干预的全流程管理规范，尤其聚焦于二尖瓣疾病治疗中的技术创新与多学科协作。该指南基于近五年全球心血管领域研究成果，结合英国临床实践特点，为医生团队提供了从术前评估到术后并发症处理的标准化操作框架。在疾病评估阶段，指南强调构建多维度的诊断体系。超声心动图作为核心影像工具，需结合3D冠脉CT（CTA）和心脏磁共振（CMR）进行立体化评估。其中CMR在评估左室功能重构和右心压力方面具有不可替代性，而CTA不仅用于排除冠状动脉病变，还可精准测量冠脉循环支与瓣膜的解剖间距，这对规避微创手术中的血管损伤至关重

  来源：BMJ Surgery Interventions & Health Technologies

  时间：2025-12-12

• 非周期多原子1比特可重构被动电磁表面在140 GHz的合成与性能验证

  在第六代移动通信(6G)技术发展的浪潮中，智能电磁环境(SEME)被视为提升无线网络覆盖与服务质量的关键支柱。可重构智能表面(RIS)或称为可重构被动电磁表面(RP-EMS)作为实现SEME的核心器件，能够通过动态调控电磁波的反射特性，将传统上对无线传播不友好的环境转变为用户可控制的智能空间。然而，高性能RP-EMS通常需要复杂的多比特控制架构，导致成本和功耗居高不下。为平衡性能与成本，1比特RP-EMS应运而生，但其仅能提供0°和180°两种相位状态，强烈的周期性相位量化误差会引发显著的量化瓣和较高的旁瓣，严重制约了其在毫米波频段的实用化进程。针对这一瓶颈问题，由Taeyoung Kim、F

  来源：IEEE Open Journal of Antennas and Propagation

  时间：2025-12-12

• 儿童时期的动物接触和农业活动与类风湿性关节炎的风险：E3N法国队列研究的发现

  该研究基于法国E3N队列（1990-2014年随访），纳入78,473名女性，通过前瞻性队列设计探讨儿童期接触宠物及农场动物与成年后类风湿关节炎（RA）的关联。研究通过多阶段暴露评估和调整混杂因素，揭示了不同动物类型及接触年龄对RA风险的影响差异。一、研究背景与意义类风湿关节炎作为自身免疫性疾病的代表，其发病机制涉及遗传与环境因素的交互作用。既往研究多聚焦于成年期环境暴露（如吸烟、空气污染）的影响，而儿童期接触动物对免疫系统发育的长期效应尚不明确。该研究创新性地将暴露窗口细分为0-1岁、1-2岁等阶段，并区分宠物与农场动物的不同生物学效应，为理解RA的发育起源提供了新视角。二、研究方法设计研究

  来源：RMD Open

  时间：2025-12-12

• 复杂设备植入后的并发症：植入医生的经验年限有多重要？

  本研究针对英国心血管植入电子设备（CIED）手术的并发症风险影响因素展开全国性流行病学研究，重点关注操作者资历与手术量对心脏再介入（ reintervention）率的影响。研究基于2014-2019年间全国性数据库的47,630例首次复杂设备植入案例，结合多中心、多学科的临床实践特点，揭示了操作者资历与再干预率之间的非线性关联，并对现行医疗规范提出了重要建议。一、研究背景与临床意义复杂设备植入（包括ICD和CRT-P/D）因涉及多靶点定位、三维空间构建等高难度操作，其术后并发症风险显著高于传统起搏器植入。根据国际指南，操作者需达到每年30例复合设备植入的最低标准。然而，现有研究多聚焦于北美地

  来源：Open Heart

  时间：2025-12-12

• 心力衰竭患者中冠状微血管功能障碍的患病率及其重要性（尤其是射血分数降低或轻度降低的情况）

  本研究针对慢性心力衰竭患者中冠心病微血管功能障碍（CMD）的流行病学特征及其与心衰严重程度的关联展开分析。研究纳入2018至2023年间瑞典 Sahlgrenska 大学医院和 Karolinska 大学医院的125例稳定型HFrEF（左室射血分数<50%）及HFmrEF（射血分数轻度降低）患者，其中男性占比79%，平均年龄73.4岁。### 研究核心发现1. **CMD高患病率**：在68例完成CFR检测的患者中，66%（45例）存在CMD（CFR<2.5）。该发现突破传统认知——既往CMD多与HFpEF相关，本研究首次在HFrEF及HFmrEF群体中证实CMD的高发性，提示微血管功能障碍可

  来源：Open Heart

  时间：2025-12-12

• 学生软件开发团队中的女性参与：角色分配的横断面研究及其对软件工程教育性别多样性的启示

  在当今数字化浪潮席卷全球的背景下，软件工程（Software Engineering, SE）领域对专业人才的需求与日俱增。然而，一个长期存在的严峻挑战是女性在该领域的代表性严重不足，这一现象在学术界和工业界都普遍存在。不仅女性入学率持续低迷，更令人担忧的是，关于学生软件开发团队内部责任与角色分配机制的研究，特别是从性别视角进行的深入剖析，仍然十分有限。这种知识空白使得我们难以制定有效的策略来改善女性在软件工程领域的参与度和职业发展路径。为了解开这个谜团，研究人员将目光投向了高等教育这一关键阶段。学生时代的团队项目经验往往对个人未来的职业选择产生深远影响。因此，理解女性在学生团队中如何选择和被

  来源：IEEE Transactions on Software Engineering

  时间：2025-12-12

• IEEE软件工程学报三年回顾：质量提升、审稿效率与AI时代的研究方向探讨

  在人工智能技术日新月异的今天，软件工程领域正面临着前所未有的机遇与挑战。特别是随着基础模型（Foundation Models）和生成式人工智能（Generative AI）的迅速崛起，软件系统的开发、测试和维护方式正在发生深刻变革。然而，学术出版作为推动领域发展的核心引擎，却承受着日益增长的压力。稿件提交数量的激增——据IEEE Transactions on Software Engineering (TSE) 的报告显示，2025年的投稿量已是2022年的两倍——对期刊的审稿流程、编辑决策质量和反馈机制都提出了更高的要求。在这种背景下，如何维持并提升顶级期刊的学术水准，同时高效处理海量投

  来源：IEEE Transactions on Software Engineering

  时间：2025-12-12

• IEEE RAS主席两年任期回顾：提升科学质量与促进科研公平的举措与展望

  在机器人技术与自动化领域飞速发展的今天，学术界面临着双重挑战：一方面是论文投稿数量的爆炸式增长，使得研究人员难以全面跟踪前沿进展，重要突破可能被淹没在信息的海洋中；另一方面是全球范围内的科研资源与机会分配不均，地域、种族和性别等因素仍可能影响科学家公平参与学术交流与发表研究成果的机会。作为IEEE机器人与自动化学会（Robotics and Automation Society, RAS）的主席，Aude Billard在其两年任期（至2025年12月结束）内，主导了一系列旨在应对这些挑战的举措，其工作回顾发表于《IEEE Robotics & Automation Magazine》

  来源：IEEE Robotics & Automation Magazine

  时间：2025-12-12

• 针对大型语言模型的快速且可控的偏置引导越狱攻击

  摘要：大型语言模型（LLMs）凭借其强大的自然语言处理能力，可以为边缘设备提供更先进的智能服务。然而，在边缘设备上部署LLMs容易受到越狱攻击的影响，这种攻击可能导致模型生成不安全的内容。同时，现有的越狱攻击方案在生成高度隐蔽的越狱提示方面效率低下。为了解决这一问题，我们提出了一种快速且可控的基于偏置的越狱攻击（FCB）方案。首先，为了提高攻击效率，我们通过直接调整模型输出层的logits来优化模型输出层的偏置，从而引导模型生成低能量的越狱提示，加快解码过程。其次，为了增强生成越狱提示的隐蔽性，我们设计了令牌停止选择和偏置归一化方法，以限制迭代过程中的扰动，防止生成没有实际意义的越狱提示。最后

  来源：IEEE Internet of Things Journal

  时间：2025-12-12

• 质子辐照对垂直GaN肖特基势垒二极管的影响

  摘要：本研究探讨了4.5 MeV质子辐照对GaN肖特基势垒二极管（SBDs）的影响。在质子辐照注量为1×10^14 cm^-2的情况下，倒空间映射（RSM）测试结果显示GaN的晶格常数增大；深能级瞬态光谱（DLTS）测试表明在E_c - 0.54 eV处存在缺陷能级陷阱。I-V测试发现器件的正向导通电压（V_ON）和肖特基势垒高度（SBH）降低，同时理想因子（η）和导通电阻（R_on）以及漏电流增加，这些现象表明GaN SBD的性能有所下降。分析认为，辐照后器件导通电阻的增加主要是由于电子迁移率的降低所致。密度泛函理论（DFT）计算结果进一步证实了器件电阻的增加与费米能级的降低及电子传输能力的

  来源：IEEE Transactions on Electron Devices

  时间：2025-12-12

• p-GaN栅极AlGaN/GaN HEMT导通机制的物理解析——第一部分

  摘要：在这项研究中，通过对比不同器件设计方案、进行精确的计算以及基于物理原理的分析建模，提出了一种优化p-GaN栅极AlGaN/GaN HEMT阈值电压（Vth）的技术。虽然所有器件都采用了相同商用级别的外延层结构，但通过精心选择不同的设计参数来分析这些参数对阈值电压的影响。研究的设计变量包括栅极金属堆叠结构、p-GaN的掺杂类型和浓度以及侧壁钝化处理方式。通过将实验结果与基于物理原理的分析模型和计算结果进行对比，揭示了p-GaN栅极HEMT的导通机制。研究发现，这种导通机制取决于p-GaN层的耗尽模式。据此，研究人员识别出两种不同的工作模式：完全耗尽模式和部分耗尽模式。在部分耗尽模式下，发现

  来源：IEEE Transactions on Electron Devices

  时间：2025-12-12

• 商用GaN HEMT晶体管的100 krad总剂量辐射特性研究：静态与动态参数原位分析

  在太空电子设备和核仪器等极端环境中，半导体器件需要承受高剂量电离辐射的考验。传统硅基器件在辐射环境下容易出现性能衰减，而氮化镓（GaN）材料因其3.4 eV的宽禁带特性、高击穿电压和优异的耐辐射性能，逐渐成为高功率、高频率应用的首选材料。然而，目前大多数研究聚焦于GaN器件的静态参数辐射响应，对动态参数（如传播延迟、上升/下降时间、效率损失等）在辐射环境下的退化行为仍缺乏系统认知。这些动态特性恰恰是卫星通信和核系统等需要精确时序控制应用的关键指标。为解决这一科学问题，来自马里博尔大学的研究团队在《IEEE Transactions on Electron Devices》上发表了最新研究成果，

  来源：IEEE Transactions on Electron Devices

  时间：2025-12-12

• 基于对电子散射机制的全面理解，对SiC(0001) n沟道MOSFETs的建模

  ```html摘要：在这项研究中，我们系统地分析了4H-SiC(0001) MOS通道中的电子散射机制，并为SiC n型MOSFET开发了一个基于物理原理的模型。通过MOS-Hall效应测量，在200–400 K的温度范围内，我们确定了不同p型体掺杂浓度（

  来源：IEEE Transactions on Electron Devices

  时间：2025-12-12

• 改进的ESDFET紧凑模型，考虑了瞬态效应、温度效应和体偏压效应

  ```html摘要：在这项工作中，我们提出了一个改进的紧凑型模型，用于描述静电放电场效应晶体管（ESDFETs），该模型能够准确捕捉关键的反冲特性，包括触发电压（

  来源：IEEE Transactions on Electron Devices

  时间：2025-12-12

• 一种基于垂直GAA晶体管的新型3D-SRAM架构，适用于高级人工智能和边缘计算应用

  摘要：我们提出了一种基于垂直全环绕栅极（VGAA）晶体管的新颖3D-SRAM架构，旨在解决传统平面静态随机存取存储器（SRAM）在先进技术节点中的局限性。该比特单元利用四个垂直对齐的硅柱来实现六个晶体管，与传统3纳米节点SRAM相比，面积减少了约70%。通过TCAD仿真优化了器件参数，发现沟道长度（LCH）和间隔层长度（LSP）显著影响噪声裕度和待机功耗。结合功函数变化（WFV）的统计分析表明，写操作特别容易受到变异性影响，因此需要进一步优化。通过利用VGAA设计的结构灵活性，我们微调了单元比例（CR）和上拉比例（PR），以满足在电压VDD = 0.6 V时读写操作的6σ产量标准。这种配置不仅

  来源：IEEE Transactions on Electron Devices

  时间：2025-12-12

• 接触式多晶格（CPP）缩放限制对硅栅极全环绕纳米片（GAA-NS）器件的影响

  摘要：本文详细研究了全环绕栅极（GAA）纳米片（NS）器件的接触间距多级（CPP）可扩展性。通过调整纳米片的厚度（

  来源：IEEE Transactions on Electron Devices

  时间：2025-12-12

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