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高性能季铵化聚砜和支化聚乙烯亚胺阴离子交换膜
制备了基于氯甲基化聚砜(CMPSf)和季铵化支化聚乙烯亚胺(BPEI)的AEMs,通过调节季铵化试剂碳链长度(1-12个碳),构建了长程离子传输通道,实现了高OH⁻电导率(114.96 mS·cm⁻¹)与优异碱性稳定性(84.6%保留率)的协同优化,并成功应用于燃料电池单电池(502.12 mW·cm⁻²)。
来源:Solid State Ionics
时间:2026-02-11
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碘化铜掺杂的硫砷酸盐 CuI₃·2S₃:具有玻璃形成特性以及宏观和电学性能
铜碘化物玻璃合成与离子传输机制研究。采用熔融淬火法制备了CuI-As2S3准二元系统,玻璃形成域扩展至x=0.5。导电性随CuI含量增加显著提升,从4.4×10^-16 S/cm增至5.06×10^-4 S/cm,证实离子传输主导。通过dc和ac阻抗分析及64Cu示踪扩散实验,揭示了低铜和高铜含量下两种不同的离子传输机制,并证实其离子性本质。
来源:Solid State Ionics
时间:2026-02-11
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固态离子学领域的当前趋势:缺陷工程与表面化学
纳米复合材料制备及其介电与电学性能研究。采用原位氧化聚合法成功制备了壳聚糖/聚苯胺(CPA)及壳聚糖/聚苯胺/氧化铌(CPAN)纳米复合材料,系统表征了其结构形貌与电学特性。研究表明CPA在8MHz时电导率达6.91×10-2 S/m,呈现显著频率依赖性,遵循相关势垒跳跃(CBH)机制;CPAN的介电常数与损耗随铌含量增加而降低,介电常数高达3.4×107。材料具有潜在应用价值于高频电子器件和储能系统。
来源:Solid State Ionics
时间:2026-02-11
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对无结纳米线晶体管低频噪声中单个界面陷阱位置的影响评估
低频噪声特性与陷阱位置对无结点纳米线晶体管的影响分析,通过实验与三维模拟验证了门源电压调控表面电势对噪声谱密度的影响,发现陷阱位置显著改变噪声趋势且与短通道效应耦合。
来源:Solid-State Electronics
时间:2026-02-11
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叉式晶体管在运算跨导放大器中的应用
叉板晶体管首次应用于OTA设计,实验表明提高跨导效率(gm/I_D)从5到11 V⁻¹可使电压增益提升14 dB至63 dB,总功耗降低75%至129 μW,但增益带宽积(GBW)下降42%至196 MHz。研究揭示了跨导效率与增益、功耗、带宽的权衡关系,为纳米片技术驱动下的模拟电路设计提供新思路。
来源:Solid-State Electronics
时间:2026-02-11
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通过双重掺杂碳纳米管(CNT)和二氧化锡(SnO₂)来调节EVA聚合物薄膜的电学性能,以应用于电缆领域
本研究将锡氧化物(SnO₂)与碳纳米管(CNT)整合至乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)基体中,以提高中电压电缆的绝缘性能。通过FTIR、XRD、SEM和TGA分析发现,1.5% CNT的EVA/SnO₂@CNT复合材料具有最佳电导率(3.9×10⁻⁶ S/m)和热稳定性,纳米复合材料的导电网络和分散性得到显著优化。
来源:Solid State Sciences
时间:2026-02-11
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通过锌(Zn)和过渡金属掺杂,在反氟石型Li5FeO4基氧化物中实现合成依赖的相位控制及离子传输
Li5FeO4基反萤石结构氧化物固态电解质通过Zn和M(Ni, Co, Cu, Mn)掺杂,形成α(0≤x≤0.3)和β(0.5≤x≤1.0)固溶体区域,x=0.5时离子电导率达1.3×10^-3 S/cm,M掺杂提升热稳定性但未改善电导率,揭示相控制、晶格扩展及冷却速率对优化氧化物固态电解质的关键作用。
来源:Solid State Ionics
时间:2026-02-11
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开发高密度超离子Li₁₈Al₃Ti₂₃(PO₄)₃固体电解质,以提升固态锂离子电池的安全性:烧结温度与Al³⁺掺杂的影响
Li基NASICON结构固态电解质LATP通过调节Al掺杂浓度(x=0.2-0.4)和烧结温度(900-1100°C)制备,发现0.3-LATP@1000在室温下离子电导率达7.2×10⁻⁵ S/cm,经500小时锂沉积/剥离测试稳定性良好,并成功构建Li/LFP/0.3-LATP@1000全固态电池,在0.1C倍率下放电容量达158 mA·h/g。
来源:Solid State Ionics
时间:2026-02-11
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通过平面波密度泛函理论(DFT)研究SrFeO₃为例,解析钙钛矿中的“O⁻”电子态
氧空位形成表面过氧离子导致XPS高能峰,DFT模拟证实ABO3型钙钛矿中"O−"态源于O2−和O2^2−配位结构。
来源:Solid State Ionics
时间:2026-02-11
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硅基AlGaN/GaN HEMT器件的迁移率及其相关参数受几何形状和热效应的影响
温度与通道几何对硅基AlGaN/GaN HEMT性能的影响研究,通过-35°C至25°C温度范围内器件长宽比的系统分析,发现迁移率(μ_eff > μ_FE > μ_o)和关键参数(V_T、SS、g_m等)均呈现温度敏感性,声子散射主导的负温度系数与短沟道效应协同影响器件性能。
来源:Solid-State Electronics
时间:2026-02-11
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一种具有PEO基超支化聚合物骨架的、成本效益高且低毒性的水凝胶准固态聚合物电解质(QSPE)
本研究开发了一种基于聚烯醇醚(PEO)的准固态聚合物电解质(QSPE),采用水替代传统有机溶剂丙二醇碳酸(PC),并使用低毒、低成本的无机锂盐氯化锂(LiCl)。实验表明,该水基QSPE保持了与LiTFSI-in-PC QSPE相当的室温电导率(5.5×10^-4 S/cm)和机械强度(剪切储能模量0.40 MPa),同时成本降低至0.60美元/克,急性毒性降低。该电解质在结构超级电容器中表现出23.11 mF/g的比电容和2.05×10^-3 Wh/kg的能量密度,验证了其作为下一代更安全、经济锂基储能器件的可行性。
来源:Solid State Ionics
时间:2026-02-11
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CaB₂O₄掺杂的2-羟基乙基纤维素聚合物电解质的离子导电性和介电性能得到提升,适用于电双层电容器应用
钙硼酸盐掺杂2-HEC聚合物电解质提升储能性能研究。采用溶液浇铸法制备含27.27 wt% CaB₂O₄的电解质,FTIR和XRD证实掺杂降低结晶度并形成离子传导通路,电导率达1.7×10⁻⁶ S/cm。循环测试显示放电电流降低至0.25 mA/g时电容提升至16 F/g(0-1V)和18.2 F/g(0-1.5V),电压窗口扩展至5.15V。
来源:Solid State Ionics
时间:2026-02-11
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适用于高压锂金属电池的、与接口兼容的P(VdF-HFP)-graft-PSBMA基凝胶聚合物电解质
通过将含磺酸基和季铵盐基团的SBMA化学接枝到P(VdF-HFP)聚合物基质中,构建了具有优异界面兼容性的新型GPE。该改性GPE显著降低锂电极接触角23.04°,提升Li+离子迁移数至0.76,同时保持高断裂强度129.4MPa和室温离子电导率1.96×10^-3 S/cm。在Li||Li对称电池中,其循环稳定性超过2000小时,LiNi0.8Co0.15Al0.05O2/Li电池在1C倍率下循环100次后容量保持率达78%,较纯P(VdF-HFP)基GPE提升4%。
来源:Solid State Ionics
时间:2026-02-11
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在将MTJ(磁隧道结)器件与用于磁场检测的低温CMOS(互补金属氧化物半导体)读出电路集成方面取得的进展
本研究实现了低温(<10K)涡旋磁隧道结(MTJ)传感器与180nm工艺低温CMOS放大器的集成,检测灵敏度达100mG,并展示了在真实CMOS表面进行填充排除的MTJ沉积技术,为开发追踪超导薄膜中磁通涡旋运动并优化VLSI超导电子电路的磁感相机奠定基础。
来源:Solid-State Electronics
时间:2026-02-11
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铁电场效应晶体管(FET)中的短期电荷俘获效应:脉冲幅度和时序的影响
金属电极对TiO
来源:Solid-State Electronics
时间:2026-02-11
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含有过渡金属链的Na₂Ni(PO₄)F、Na₂Co(PO₄)F和Na₂Co(AsO₄)F的晶体生长与磁性研究
钠镍/钴氟磷酸盐一维链结构及磁性研究。通过高温水热法合成Na2Ni(PO4)F(I)、Na2Co(PO4)F(II)、Na2Co(AsO4)F(III),单晶和粉末X射线衍射显示I和II为单斜P2₁/n,III为正交Pbcn。磁化测量表明I在低温下显示各向异性有序行为,Néel温度为2.3(1)K(b轴平行)和2.9(1)K(垂直),II和III的饱和磁矩分别为2.3μB和2.0μB,表明存在反铁磁相互作用和未淬灭轨道角动量。
来源:Solid State Sciences
时间:2026-02-11
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阴离子工程提升了Li₇P₃S₁₁固体电解质的电化学性能
硫化物固态电解质Li7P3S11-xSe-x的制备及其对锂离子电池性能的提升研究表明,硒(Se)掺杂可显著提高电解质的离子电导率至2.48 mS cm−1,增强空气稳定性和电极/电解质界面兼容性,使全固态电池在0.1C倍率下放电容量达82 mAh g−1并表现出优异循环稳定性。
来源:Solid State Ionics
时间:2026-02-11
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P2型Na0.6Mg0.2Cu0.1Mn0.7O2正极材料:具有优异的循环稳定性,适用于高能量钠离子电池
钠离子电池高电压正极材料性能提升研究。通过铜掺杂Na0.6Mg0.3Mn0.7O2制备P2型Na0.6Mg0.2Cu0.1Mn0.7O2,显著增强高电压平台稳定性,1.5-4.4V容量达163.5mA·h/g,其中>4.1V区域容量达109.3mA·h/g。铜掺杂抑制Jahn-Teller畸变,降低Ni/Mn有序化,增强Mn氧化还原能力,通过Cu-O共价键抑制氧过度氧化,循环100次容量保持率94.4%。
来源:Solid State Ionics
时间:2026-02-11
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LLZTO固体电解质铸造工艺及其性能的研究
制备LLZTO固体电解质薄膜的工艺优化及性能研究。通过系统考察溶剂体系、分散剂、粘合剂-增塑剂比例、球磨时间和脱气工艺对浆料流变性和成膜质量的影响,结合母粉覆盖烧结法有效抑制锂挥发。优化后的电解质片相对密度达94.3%,离子电导率1.02×10⁻⁴ S/cm,组装的Li/LLZTO/LiFePO₄全固态电池循环180次容量保持82%。
来源:Solid State Ionics
时间:2026-02-11
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一种具有高可靠性的10T2R非易失性SRAM单元设计
10T2R nvSRAM通过集成隔离晶体管抑制RRAM可靠性问题,电压应力低于1mV,静态噪声边际与6T SRAM相当,支持上电恢复且功耗低。
来源:Solid-State Electronics
时间:2026-02-11