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Ag-Cu₂O纳米复合材料:关于银(Ag)浓度对双带激光探测器物理性能影响的全面研究
本研究采用水热法合成不同Ag浓度的Ag@Cu₂O纳米薄膜,优化Ag浓度为0.01g时制备的p-Si异质结器件性能最佳。XRD证实Ag修饰使Cu₂O晶粒尺寸从33.4nm降至30.4nm,带隙收窄至2.12eV,SERS信号增强显著,器件在可见至近红外波段响应度提升。
来源:Solid-State Electronics
时间:2026-02-11
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通过表面金属化实现(Cd,Mn)Te量子阱中的空穴到电子的跃迁
量子阱表面金属化对电荷性质影响研究。测试Au、Ag、Cr、Ni、Ti五种金属10nm层,发现Au和Ni使p型量子阱转为n型,归因于金属与半导体强键合钝化表面并促进电子扩散。
来源:Solid State Communications
时间:2026-02-11
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过渡金属修饰的salen基配体在金属有机框架中的结构与电子性质
Salen-MOFs的密度泛函理论研究表明,Y掺杂体系存在显著的非平面位移,Ti/Ni/Zr/Ru负载的Salen-MOF结构更稳定,Ti/Co/Zr嵌入能更高,Sc/Cr/Ni/Zn/Y/Mo/Pd/Cd体系动能稳定性突出,Sc/Y/Cr体系Mulliken电荷显著,为能源转化和精细催化设计提供分子层面指导。
来源:Solid State Communications
时间:2026-02-11
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Y2O3/MWCNT纳米复合材料的合成及其双功能电化学性能在超级电容器和水分解应用中的研究
通过水热法合成的Y₂O₃/MWCNT纳米复合材料,在缺陷工程作用下实现超低电荷转移电阻(38Ω),比电容达464 F/g,兼具优异稳定性和双功能(OER/HER)。XRD、FTIR、HR-TEM及FESEM表征确认其晶相纯度、复合结构及纳米管形貌。
来源:Solid State Communications
时间:2026-02-11
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Sc₂AC(A = Ga, Ge)MAX相的机械稳定性及高压/高温行为:基于第一性原理的研究
MAX相Sc₂GaC和Sc₂GeC的力学、热学及热力学性质通过第一性原理计算系统研究,揭示其在高压(20 GPa)和高温(1000 K)下保持结构稳定与热性能稳健的特性,首次预测Sc₂GeC的存在。
来源:Solid State Communications
时间:2026-02-11
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一种用于精确和高性能仿真的ReRAM存储器的概率紧凑模型
这是一个基于HfO₂的1T1R ReRAM的电路级模型,通过状态变量描述活性区演变,结合电压依赖概率实现随机切换,在SPICE中验证了电气特性、C2C可变性和多级操作的高效性。
来源:Solid-State Electronics
时间:2026-02-11
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通过芦荟介导的绿色路线合成的Nd掺杂锌铁氧体纳米材料,具有优异的抗氧化性能和光催化性能、居里温度(即材料发生铁电相变时的温度)、磁铁电效应以及光电性能,适用于多种多功能应用
锌铁氧体纳米颗粒通过芦荟汁辅助溶胶-凝胶法合成并掺杂Neodymium离子,研究其热稳定性(500℃)、结构(立方单相Fd3m)、磁性能(矫顽力267.43 Oe,饱和磁化强度22.13 emu/g)、光学带隙(1.80-2.96 eV)及抗氧化能力(FRAP值提升)。尺寸效应显著(85.69-33.44 nm),居里温度下降(419-329℃),表面电荷影响稳定性。
来源:Solid State Communications
时间:2026-02-11
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SiC在联苯网络结构中的晶格热导率:基于第一性原理的研究
二维SiC biphenylene网络晶格热导率与热传输机制研究采用第一性原理计算与Boltzmann输运理论,系统揭示了八六方复合结构沿a-、b-轴热导率分别为69.3和66.9 W/(m·K)的物理机制,证实声子散射主导的低热导率特性源于面外声学模式(ZA)的长弛豫时间,并探讨了Grüneisen参数与散射过程的关联性。
来源:Solid State Communications
时间:2026-02-11
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通过硫掺杂调节ZnO的电子和光学性质:一项密度泛函理论(DFT)研究
硫掺杂ZnO合金的结构、电子及光学性质通过密度泛函理论系统研究,发现硫替代氧导致晶格均匀膨胀,带隙非单调演变(先收窄后拓宽),可见光吸收在37.5-50%硫浓度时显著增强,为光电器件设计提供新思路。
来源:Solid State Communications
时间:2026-02-11
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通过分子动力学模拟研究纳米晶Nd2Fe14B在热变形过程中的蠕变机制
本研究通过分子动力学模拟系统揭示了纳米晶Nd2Fe14B永磁体在热变形过程中应力指数、蠕变激活能及原子重构规律,发现晶界扩散与滑动主导机制取决于应力与温度的协同作用,并构建了应力-温度场变形机制图谱,为优化热加工工艺提供理论支撑。
来源:Solid State Communications
时间:2026-02-11
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双(Al, Ni)掺杂对ZnO半导体薄膜光催化性能的影响
本研究采用喷雾热解法制备了纯ZnO及Al、Al-Ni掺杂ZnO薄膜,通过XRD、SEM、EDS和UV-Vis分析证实其结晶良好且掺杂有效,光催化测试显示Al-Ni共掺杂薄膜对甲基橙降解效率达91%,归因协同效应增强电荷分离,抑制复合,材料具有潜在光电子应用价值。
来源:Solid State Communications
时间:2026-02-11
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基于第一性原理的见解:六方氮化硼纳米片在二氧化碳作用下的超低摩擦现象
通过第一性原理计算,研究发现引入CO₂分子(除双分子外)可降低h-BNNS层间摩擦,主要因层间距增大和有效接触面积减少,少量则因边缘卡顿效应增加摩擦,机制为界面电子重分布。
来源:Solid State Communications
时间:2026-02-11
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陶瓷CuTa₂O₆:Sb半导体的热电性能
本文研究了一种通过高温固态反应制备的绝缘陶瓷材料CuTa2−xSbxO6(0≤x≤0.5),通过介电性能、电导率和热电性能分析,结合Matoba等人提出的半经验模型,揭示了热电势的扩散、声子拖曳和变程跳跃贡献,并利用费米能估算确定了n型掺杂位于禁带底部以下。
来源:Solid State Communications
时间:2026-02-11
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Cr3+活化的Mg3Y2Ge3O12近红外荧光粉,适用于宽带发射的PC-LED光源,尤其适合光谱学应用
采用溶胶-凝胶法制备了Mg3Y2Ge3O12掺杂Cr³⁺纳米材料,其近红外发射光谱(650-1100 nm)与Cr³⁺的2E→4A2跃迁相关,并通过调控温度(ΔE=0.207 eV)和晶体场强度(约2.23)实现发射调谐。材料在418 K时仍保持59%的初始发光强度,并成功应用于果汁糖分检测的光学计量系统设计。
来源:Solid State Communications
时间:2026-02-11
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硒替代对尖晶石CuIr₂(S₁−xSeₓ)₄热传输性能的影响
热电材料CuIr2(S1-xSe-x)4中,Ir二聚体纳米域占比约20%(0.3≤x≤0.7),其与基体界面密度随Se取代量增加而升高,导致低温段声子热导率κph最小值出现在x=0.7而非预期的x=0.5。Se掺杂使300K时异常声子散射效应减弱,与纯CuIr2S4的声子弛豫时间τ相当。
来源:Solid State Communications
时间:2026-02-11
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揭示纳米片场效应晶体管(Nanosheet FET)中的输出电导动态:低温处理会有影响吗?
通道长度调制(CLM)和漏致势垒降低(DIBL)导致输出导纳gds变化,其在极低温下因不完全电离和势垒效应显著增强。通过TCAD模型分析4K至300K范围内NSFET的gds特性,发现CLM与温度相关,且4K时gmax/gds最大值达1.2×10¹⁰ S/V。
来源:Solid-State Electronics
时间:2026-02-11
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磁场作用下球形量子点异质结构中几何因素对二次谐波生成影响的研究
多层数字量子点在磁场下的二次谐波生成特性研究,通过有限元素法求解薛定谔方程,分析了几何参数与磁场强度对能带结构和SHG响应的影响,发现共振峰位置和幅值随结构尺寸和磁场强度显著变化,为优化光电子器件提供了理论依据。
来源:Solid State Communications
时间:2026-02-11
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通过清除剂研究阐明介孔MnO₂-还原氧化石墨烯基Ni掺杂钴氧化物中的活性物种在环境修复中的应用
纳米复合材料光催化性能优化及环境修复应用,通过XRD、FESEM等表征证实Ni掺杂与rGO-MnO2复合结构有效降低带隙至2.5eV并提升比表面积至229.09 m²/g,实现甲基橙93.95%高效降解。
来源:Solid State Communications
时间:2026-02-11
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SrFe12-2xCu xRu xO19中表现出强烈的微波吸收特性,并且可能存在合理的Fe3+自旋状态
双卤化物钙钛矿材料Rb₂NaScI₆中部分Na位掺杂Cu和Ag,通过DFT计算研究其结构稳定性、带隙工程及热电性能优化,发现掺杂后材料带隙显著降低(1.53-1.76 eV),热电优值ZT提升至0.813,同时光吸收系数增强,证实其作为高效无毒光伏和热电转换材料的潜力。
来源:Solid State Communications
时间:2026-02-11
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基于第一性原理对新型金基卤化物钙钛矿SrAuX₃(X = Cl, Br)进行研究,以探索其在光电和热电领域的应用潜力
黄金基卤化物钙钛矿SrAuX₃(X=Cl,Br)的结构稳定性、带隙调控及热电光协同特性研究。通过第一性原理计算证实其热力学稳定,声子学无虚频,机械性能互补(SrAuCl₃高延展性,SrAuBr₃高剪切模量),电子带隙Cl⁻(1.88-1.95 eV)和Br⁻(0.70-1.44 eV)分别适配可见光和红外光电器件,热电性能ZT达0.71。
来源:Solid State Communications
时间:2026-02-11