• 硅基AlGaN/GaN HEMT器件的迁移率及其相关参数受几何形状和热效应的影响

  温度与通道几何对硅基AlGaN/GaN HEMT性能的影响研究，通过-35°C至25°C温度范围内器件长宽比的系统分析，发现迁移率（μ_eff > μ_FE > μ_o）和关键参数（V_T、SS、g_m等）均呈现温度敏感性，声子散射主导的负温度系数与短沟道效应协同影响器件性能。

  来源：Solid-State Electronics

  时间：2026-02-11

• 一种用于精确和高性能仿真的ReRAM存储器的概率紧凑模型

  这是一个基于HfO₂的1T1R ReRAM的电路级模型，通过状态变量描述活性区演变，结合电压依赖概率实现随机切换，在SPICE中验证了电气特性、C2C可变性和多级操作的高效性。

  来源：Solid-State Electronics

  时间：2026-02-11

• 通过芦荟介导的绿色路线合成的Nd掺杂锌铁氧体纳米材料，具有优异的抗氧化性能和光催化性能、居里温度（即材料发生铁电相变时的温度）、磁铁电效应以及光电性能，适用于多种多功能应用

  锌铁氧体纳米颗粒通过芦荟汁辅助溶胶-凝胶法合成并掺杂Neodymium离子，研究其热稳定性（500℃）、结构（立方单相Fd3m）、磁性能（矫顽力267.43 Oe，饱和磁化强度22.13 emu/g）、光学带隙（1.80-2.96 eV）及抗氧化能力（FRAP值提升）。尺寸效应显著（85.69-33.44 nm），居里温度下降（419-329℃），表面电荷影响稳定性。

  来源：Solid State Communications

  时间：2026-02-11

• SiC在联苯网络结构中的晶格热导率：基于第一性原理的研究

  二维SiC biphenylene网络晶格热导率与热传输机制研究采用第一性原理计算与Boltzmann输运理论，系统揭示了八六方复合结构沿a-、b-轴热导率分别为69.3和66.9 W/(m·K)的物理机制，证实声子散射主导的低热导率特性源于面外声学模式（ZA）的长弛豫时间，并探讨了Grüneisen参数与散射过程的关联性。

  来源：Solid State Communications

  时间：2026-02-11

• 通过硫掺杂调节ZnO的电子和光学性质：一项密度泛函理论（DFT）研究

  硫掺杂ZnO合金的结构、电子及光学性质通过密度泛函理论系统研究，发现硫替代氧导致晶格均匀膨胀，带隙非单调演变（先收窄后拓宽），可见光吸收在37.5-50%硫浓度时显著增强，为光电器件设计提供新思路。

  来源：Solid State Communications

  时间：2026-02-11

• 叉式晶体管在运算跨导放大器中的应用

  叉板晶体管首次应用于OTA设计，实验表明提高跨导效率（gm/I_D）从5到11 V⁻¹可使电压增益提升14 dB至63 dB，总功耗降低75%至129 μW，但增益带宽积（GBW）下降42%至196 MHz。研究揭示了跨导效率与增益、功耗、带宽的权衡关系，为纳米片技术驱动下的模拟电路设计提供新思路。

  来源：Solid-State Electronics

  时间：2026-02-11

• 揭示纳米片场效应晶体管（Nanosheet FET）中的输出电导动态：低温处理会有影响吗？

  通道长度调制（CLM）和漏致势垒降低（DIBL）导致输出导纳gds变化，其在极低温下因不完全电离和势垒效应显著增强。通过TCAD模型分析4K至300K范围内NSFET的gds特性，发现CLM与温度相关，且4K时gmax/gds最大值达1.2×10¹⁰ S/V。

  来源：Solid-State Electronics

  时间：2026-02-11

• 磁场作用下球形量子点异质结构中几何因素对二次谐波生成影响的研究

  多层数字量子点在磁场下的二次谐波生成特性研究，通过有限元素法求解薛定谔方程，分析了几何参数与磁场强度对能带结构和SHG响应的影响，发现共振峰位置和幅值随结构尺寸和磁场强度显著变化，为优化光电子器件提供了理论依据。

  来源：Solid State Communications

  时间：2026-02-11

• 通过清除剂研究阐明介孔MnO₂-还原氧化石墨烯基Ni掺杂钴氧化物中的活性物种在环境修复中的应用

  纳米复合材料光催化性能优化及环境修复应用，通过XRD、FESEM等表征证实Ni掺杂与rGO-MnO2复合结构有效降低带隙至2.5eV并提升比表面积至229.09 m²/g，实现甲基橙93.95%高效降解。

  来源：Solid State Communications

  时间：2026-02-11

• SrFe12-2xCu xRu xO19中表现出强烈的微波吸收特性，并且可能存在合理的Fe3+自旋状态

  双卤化物钙钛矿材料Rb₂NaScI₆中部分Na位掺杂Cu和Ag，通过DFT计算研究其结构稳定性、带隙工程及热电性能优化，发现掺杂后材料带隙显著降低（1.53-1.76 eV），热电优值ZT提升至0.813，同时光吸收系数增强，证实其作为高效无毒光伏和热电转换材料的潜力。

  来源：Solid State Communications

  时间：2026-02-11

• 一种具有高可靠性的10T2R非易失性SRAM单元设计

  10T2R nvSRAM通过集成隔离晶体管抑制RRAM可靠性问题，电压应力低于1mV，静态噪声边际与6T SRAM相当，支持上电恢复且功耗低。

  来源：Solid-State Electronics

  时间：2026-02-11

• Ag-Cu₂O纳米复合材料：关于银（Ag）浓度对双带激光探测器物理性能影响的全面研究

  本研究采用水热法合成不同Ag浓度的Ag@Cu₂O纳米薄膜，优化Ag浓度为0.01g时制备的p-Si异质结器件性能最佳。XRD证实Ag修饰使Cu₂O晶粒尺寸从33.4nm降至30.4nm，带隙收窄至2.12eV，SERS信号增强显著，器件在可见至近红外波段响应度提升。

  来源：Solid-State Electronics

  时间：2026-02-11

• 通过表面金属化实现(Cd,Mn)Te量子阱中的空穴到电子的跃迁

  量子阱表面金属化对电荷性质影响研究。测试Au、Ag、Cr、Ni、Ti五种金属10nm层，发现Au和Ni使p型量子阱转为n型，归因于金属与半导体强键合钝化表面并促进电子扩散。

  来源：Solid State Communications

  时间：2026-02-11

• 过渡金属修饰的salen基配体在金属有机框架中的结构与电子性质

  Salen-MOFs的密度泛函理论研究表明，Y掺杂体系存在显著的非平面位移，Ti/Ni/Zr/Ru负载的Salen-MOF结构更稳定，Ti/Co/Zr嵌入能更高，Sc/Cr/Ni/Zn/Y/Mo/Pd/Cd体系动能稳定性突出，Sc/Y/Cr体系Mulliken电荷显著，为能源转化和精细催化设计提供分子层面指导。

  来源：Solid State Communications

  时间：2026-02-11

• Y2O3/MWCNT纳米复合材料的合成及其双功能电化学性能在超级电容器和水分解应用中的研究

  通过水热法合成的Y₂O₃/MWCNT纳米复合材料，在缺陷工程作用下实现超低电荷转移电阻（38Ω），比电容达464 F/g，兼具优异稳定性和双功能（OER/HER）。XRD、FTIR、HR-TEM及FESEM表征确认其晶相纯度、复合结构及纳米管形貌。

  来源：Solid State Communications

  时间：2026-02-11

• 在将MTJ（磁隧道结）器件与用于磁场检测的低温CMOS（互补金属氧化物半导体）读出电路集成方面取得的进展

  本研究实现了低温（<10K）涡旋磁隧道结（MTJ）传感器与180nm工艺低温CMOS放大器的集成，检测灵敏度达100mG，并展示了在真实CMOS表面进行填充排除的MTJ沉积技术，为开发追踪超导薄膜中磁通涡旋运动并优化VLSI超导电子电路的磁感相机奠定基础。

  来源：Solid-State Electronics

  时间：2026-02-11

• 铁电场效应晶体管（FET）中的短期电荷俘获效应：脉冲幅度和时序的影响

  金属电极对TiO

  来源：Solid-State Electronics

  时间：2026-02-11

• 双（Al, Ni）掺杂对ZnO半导体薄膜光催化性能的影响

  本研究采用喷雾热解法制备了纯ZnO及Al、Al-Ni掺杂ZnO薄膜，通过XRD、SEM、EDS和UV-Vis分析证实其结晶良好且掺杂有效，光催化测试显示Al-Ni共掺杂薄膜对甲基橙降解效率达91%，归因协同效应增强电荷分离，抑制复合，材料具有潜在光电子应用价值。

  来源：Solid State Communications

  时间：2026-02-11

• 基于第一性原理的见解：六方氮化硼纳米片在二氧化碳作用下的超低摩擦现象

  通过第一性原理计算，研究发现引入CO₂分子（除双分子外）可降低h-BNNS层间摩擦，主要因层间距增大和有效接触面积减少，少量则因边缘卡顿效应增加摩擦，机制为界面电子重分布。

  来源：Solid State Communications

  时间：2026-02-11

• 陶瓷CuTa₂O₆:Sb半导体的热电性能

  本文研究了一种通过高温固态反应制备的绝缘陶瓷材料CuTa2−xSbxO6（0≤x≤0.5），通过介电性能、电导率和热电性能分析，结合Matoba等人提出的半经验模型，揭示了热电势的扩散、声子拖曳和变程跳跃贡献，并利用费米能估算确定了n型掺杂位于禁带底部以下。

  来源：Solid State Communications

  时间：2026-02-11

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