• CaB₂O₄掺杂的2-羟基乙基纤维素聚合物电解质的离子导电性和介电性能得到提升，适用于电双层电容器应用

  钙硼酸盐掺杂2-HEC聚合物电解质提升储能性能研究。采用溶液浇铸法制备含27.27 wt% CaB₂O₄的电解质，FTIR和XRD证实掺杂降低结晶度并形成离子传导通路，电导率达1.7×10⁻⁶ S/cm。循环测试显示放电电流降低至0.25 mA/g时电容提升至16 F/g（0-1V）和18.2 F/g（0-1.5V），电压窗口扩展至5.15V。

  来源：Solid State Ionics

  时间：2026-02-11

• 适用于高压锂金属电池的、与接口兼容的P(VdF-HFP)-graft-PSBMA基凝胶聚合物电解质

  通过将含磺酸基和季铵盐基团的SBMA化学接枝到P(VdF-HFP)聚合物基质中，构建了具有优异界面兼容性的新型GPE。该改性GPE显著降低锂电极接触角23.04°，提升Li+离子迁移数至0.76，同时保持高断裂强度129.4MPa和室温离子电导率1.96×10^-3 S/cm。在Li||Li对称电池中，其循环稳定性超过2000小时，LiNi0.8Co0.15Al0.05O2/Li电池在1C倍率下循环100次后容量保持率达78%，较纯P(VdF-HFP)基GPE提升4%。

  来源：Solid State Ionics

  时间：2026-02-11

• 在将MTJ（磁隧道结）器件与用于磁场检测的低温CMOS（互补金属氧化物半导体）读出电路集成方面取得的进展

  本研究实现了低温（<10K）涡旋磁隧道结（MTJ）传感器与180nm工艺低温CMOS放大器的集成，检测灵敏度达100mG，并展示了在真实CMOS表面进行填充排除的MTJ沉积技术，为开发追踪超导薄膜中磁通涡旋运动并优化VLSI超导电子电路的磁感相机奠定基础。

  来源：Solid-State Electronics

  时间：2026-02-11

• 铁电场效应晶体管（FET）中的短期电荷俘获效应：脉冲幅度和时序的影响

  金属电极对TiO

  来源：Solid-State Electronics

  时间：2026-02-11

• 双（Al, Ni）掺杂对ZnO半导体薄膜光催化性能的影响

  本研究采用喷雾热解法制备了纯ZnO及Al、Al-Ni掺杂ZnO薄膜，通过XRD、SEM、EDS和UV-Vis分析证实其结晶良好且掺杂有效，光催化测试显示Al-Ni共掺杂薄膜对甲基橙降解效率达91%，归因协同效应增强电荷分离，抑制复合，材料具有潜在光电子应用价值。

  来源：Solid State Communications

  时间：2026-02-11

• 碘化铜掺杂的硫砷酸盐 CuI₃·2S₃：具有玻璃形成特性以及宏观和电学性能

  铜碘化物玻璃合成与离子传输机制研究。采用熔融淬火法制备了CuI-As2S3准二元系统，玻璃形成域扩展至x=0.5。导电性随CuI含量增加显著提升，从4.4×10^-16 S/cm增至5.06×10^-4 S/cm，证实离子传输主导。通过dc和ac阻抗分析及64Cu示踪扩散实验，揭示了低铜和高铜含量下两种不同的离子传输机制，并证实其离子性本质。

  来源：Solid State Ionics

  时间：2026-02-11

• 固态离子学领域的当前趋势：缺陷工程与表面化学

  纳米复合材料制备及其介电与电学性能研究。采用原位氧化聚合法成功制备了壳聚糖/聚苯胺（CPA）及壳聚糖/聚苯胺/氧化铌（CPAN）纳米复合材料，系统表征了其结构形貌与电学特性。研究表明CPA在8MHz时电导率达6.91×10-2 S/m，呈现显著频率依赖性，遵循相关势垒跳跃（CBH）机制；CPAN的介电常数与损耗随铌含量增加而降低，介电常数高达3.4×107。材料具有潜在应用价值于高频电子器件和储能系统。

  来源：Solid State Ionics

  时间：2026-02-11

• 对无结纳米线晶体管低频噪声中单个界面陷阱位置的影响评估

  低频噪声特性与陷阱位置对无结点纳米线晶体管的影响分析，通过实验与三维模拟验证了门源电压调控表面电势对噪声谱密度的影响，发现陷阱位置显著改变噪声趋势且与短通道效应耦合。

  来源：Solid-State Electronics

  时间：2026-02-11

• 叉式晶体管在运算跨导放大器中的应用

  叉板晶体管首次应用于OTA设计，实验表明提高跨导效率（gm/I_D）从5到11 V⁻¹可使电压增益提升14 dB至63 dB，总功耗降低75%至129 μW，但增益带宽积（GBW）下降42%至196 MHz。研究揭示了跨导效率与增益、功耗、带宽的权衡关系，为纳米片技术驱动下的模拟电路设计提供新思路。

  来源：Solid-State Electronics

  时间：2026-02-11

• 揭示纳米片场效应晶体管（Nanosheet FET）中的输出电导动态：低温处理会有影响吗？

  通道长度调制（CLM）和漏致势垒降低（DIBL）导致输出导纳gds变化，其在极低温下因不完全电离和势垒效应显著增强。通过TCAD模型分析4K至300K范围内NSFET的gds特性，发现CLM与温度相关，且4K时gmax/gds最大值达1.2×10¹⁰ S/V。

  来源：Solid-State Electronics

  时间：2026-02-11

• 通过锌（Zn）和过渡金属掺杂，在反氟石型Li5FeO4基氧化物中实现合成依赖的相位控制及离子传输

  Li5FeO4基反萤石结构氧化物固态电解质通过Zn和M（Ni, Co, Cu, Mn）掺杂，形成α（0≤x≤0.3）和β（0.5≤x≤1.0）固溶体区域，x=0.5时离子电导率达1.3×10^-3 S/cm，M掺杂提升热稳定性但未改善电导率，揭示相控制、晶格扩展及冷却速率对优化氧化物固态电解质的关键作用。

  来源：Solid State Ionics

  时间：2026-02-11

• 开发高密度超离子Li₁₈Al₃Ti₂₃(PO₄)₃固体电解质，以提升固态锂离子电池的安全性：烧结温度与Al³⁺掺杂的影响

  Li基NASICON结构固态电解质LATP通过调节Al掺杂浓度（x=0.2-0.4）和烧结温度（900-1100°C）制备，发现0.3-LATP@1000在室温下离子电导率达7.2×10⁻⁵ S/cm，经500小时锂沉积/剥离测试稳定性良好，并成功构建Li/LFP/0.3-LATP@1000全固态电池，在0.1C倍率下放电容量达158 mA·h/g。

  来源：Solid State Ionics

  时间：2026-02-11

• 通过平面波密度泛函理论（DFT）研究SrFeO₃为例，解析钙钛矿中的“O⁻”电子态

  氧空位形成表面过氧离子导致XPS高能峰，DFT模拟证实ABO3型钙钛矿中"O−"态源于O2−和O2^2−配位结构。

  来源：Solid State Ionics

  时间：2026-02-11

• 硅基AlGaN/GaN HEMT器件的迁移率及其相关参数受几何形状和热效应的影响

  温度与通道几何对硅基AlGaN/GaN HEMT性能的影响研究，通过-35°C至25°C温度范围内器件长宽比的系统分析，发现迁移率（μ_eff > μ_FE > μ_o）和关键参数（V_T、SS、g_m等）均呈现温度敏感性，声子散射主导的负温度系数与短沟道效应协同影响器件性能。

  来源：Solid-State Electronics

  时间：2026-02-11

• 一种用于精确和高性能仿真的ReRAM存储器的概率紧凑模型

  这是一个基于HfO₂的1T1R ReRAM的电路级模型，通过状态变量描述活性区演变，结合电压依赖概率实现随机切换，在SPICE中验证了电气特性、C2C可变性和多级操作的高效性。

  来源：Solid-State Electronics

  时间：2026-02-11

• P2型Na0.6Mg0.2Cu0.1Mn0.7O2正极材料：具有优异的循环稳定性，适用于高能量钠离子电池

  钠离子电池高电压正极材料性能提升研究。通过铜掺杂Na0.6Mg0.3Mn0.7O2制备P2型Na0.6Mg0.2Cu0.1Mn0.7O2，显著增强高电压平台稳定性，1.5-4.4V容量达163.5mA·h/g，其中>4.1V区域容量达109.3mA·h/g。铜掺杂抑制Jahn-Teller畸变，降低Ni/Mn有序化，增强Mn氧化还原能力，通过Cu-O共价键抑制氧过度氧化，循环100次容量保持率94.4%。

  来源：Solid State Ionics

  时间：2026-02-11

• LLZTO固体电解质铸造工艺及其性能的研究

  制备LLZTO固体电解质薄膜的工艺优化及性能研究。通过系统考察溶剂体系、分散剂、粘合剂-增塑剂比例、球磨时间和脱气工艺对浆料流变性和成膜质量的影响，结合母粉覆盖烧结法有效抑制锂挥发。优化后的电解质片相对密度达94.3%，离子电导率1.02×10⁻⁴ S/cm，组装的Li/LLZTO/LiFePO₄全固态电池循环180次容量保持82%。

  来源：Solid State Ionics

  时间：2026-02-11

• 一种具有高可靠性的10T2R非易失性SRAM单元设计

  10T2R nvSRAM通过集成隔离晶体管抑制RRAM可靠性问题，电压应力低于1mV，静态噪声边际与6T SRAM相当，支持上电恢复且功耗低。

  来源：Solid-State Electronics

  时间：2026-02-11

• Ag-Cu₂O纳米复合材料：关于银（Ag）浓度对双带激光探测器物理性能影响的全面研究

  本研究采用水热法合成不同Ag浓度的Ag@Cu₂O纳米薄膜，优化Ag浓度为0.01g时制备的p-Si异质结器件性能最佳。XRD证实Ag修饰使Cu₂O晶粒尺寸从33.4nm降至30.4nm，带隙收窄至2.12eV，SERS信号增强显著，器件在可见至近红外波段响应度提升。

  来源：Solid-State Electronics

  时间：2026-02-11

• 通过表面金属化实现(Cd,Mn)Te量子阱中的空穴到电子的跃迁

  量子阱表面金属化对电荷性质影响研究。测试Au、Ag、Cr、Ni、Ti五种金属10nm层，发现Au和Ni使p型量子阱转为n型，归因于金属与半导体强键合钝化表面并促进电子扩散。

  来源：Solid State Communications

  时间：2026-02-11

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