• 一种基于氢气的协同工艺，用于从复杂尾矿中共同回收铁和稀土元素：迈向零废物战略

  协同回收铁与稀土元素从Bayan Obo尾矿中高效利用的磁预富集与氢基矿物相转变耦合工艺研究。

  来源：Minerals Engineering

  时间：2026-02-11

• 关于筛式静电分离器中金红石和锆颗粒电场模拟及运动机制的研究

  钛铁矿与锆石在筛板式电选机中的分离机制及结构优化研究。通过COMSOL多物理场耦合模拟分析电极电压、电极尺寸、电极偏转角和筛板结构对电场强度、粒子受力及运动轨迹的影响，发现电场强度呈先增后减的非均匀分布特征，钛铁矿与锆石因电-重联合作用呈现差异化的加速度与减速过程。优化建议包括采用微孔填充筛板结构并调整筛孔起始位置，以提升分离效率并减少杂质污染。

  来源：Minerals Engineering

  时间：2026-02-11

• 综述：一种新型VDMOS结构，通过工艺兼容的MOS沟道二极管集成实现了低反向恢复电荷特性

  提出一种新型MPP-MCD VDMOS结构，通过优化P-体、源区及栅极掩膜实现体二极管集成，在保持导通电阻和漏电流相近的同时将反向恢复电荷降低71.5%，有效解决高频应用中的功率损耗和可靠性问题。

  来源：Microelectronics Reliability

  时间：2026-02-11

• 通过梳状结构的N-AlGaN沟道工程，提高p-GaN HEMT器件的单事件烧毁抗性

  GaN HEMT单粒子烧毁耐受性提升研究提出CO-HEMT和COB-HEMT结构，通过N-AlGaN梳状层重构电场分布及Si3N4阻挡层抑制载流子倍增效应，使SEB电压分别达770V（185%提升）和858V（218%提升）。

  来源：Microelectronics Journal

  时间：2026-02-11

• 热诱导裂纹对TGV列车机械性能和电气性能的影响

  低功耗高稳定性10T SRAM设计采用碳纳米管晶体管，通过差分写入与单端读取分离、堆叠晶体管优化和亚阈值操作实现漏电抑制与能效提升，仿真显示228ps读写速度和3.8nW写入功耗，稳定性参数优于传统架构。

  来源：Microelectronic Engineering

  时间：2026-02-11

• 利用可控高频源对混凝土中垂直裂缝的地震各向异性进行分析

  本研究开发了一种名为Seesaw Hammer的高频可调地震源，通过调整锤头质量和刚度实现频率控制，解决了传统方法不可靠的问题。实验证明该工具可有效检测混凝土中的垂直裂缝，并利用相位速度和Q因子分析不同流体（空气、水和聚乙二醇）填充裂缝时的地震各向异性差异，为混凝土结构无损检测提供新方法。

  来源：NDT & E International

  时间：2026-02-11

• 综述：铁砂衍生材料：合成路线、磁性能及多功能应用的综述

  铁砂 Derived磁性氧化物材料的合成、性能与应用综述。本文系统总结了铁砂制备Fe3O4和Fe2O3纳米材料的方法（共沉淀、超声波合成等）、磁学特性（矫顽力、剩磁）及在电磁屏蔽（RL90%）等领域的应用。通过分析合成参数与材料性能的关联，提出绿色制备技术和规模化挑战。

  来源：Minerals Engineering

  时间：2026-02-11

• FARENet：一种基于频率自适应的鲁棒增强网络，用于利用可见光相机进行智能矿物分选

  矿物分类智能模型在复杂工业环境中的应用研究。提出FARENet网络架构，包含频率自适应增强模块、多尺度通道自适应融合模块和鲁棒特征扰动模块，通过构建真实工业场景矿物数据集RMCD验证模型在噪声干扰和计算资源受限条件下的有效性，实现90.9% Top-1精度仅消耗1.03 GFLOPs。

  来源：Minerals Engineering

  时间：2026-02-11

• 针对北斗B1C频段设计的一款紧凑型、低损耗的体声波滤波器

  北斗三号B1C频段BAW梯形滤波器设计，采用增强Mason等效电路模型，优化电极/压电层厚度比（2.3–2.5）降低有效机电耦合系数（keff2=3.9%），实现1.16dB插入损耗、36.6dB带外抑制，0.82×0.62mm²紧凑面积。

  来源：Microelectronics Journal

  时间：2026-02-11

• 一种适用于22纳米FD-SOI CMOS工艺的DC-24 GHz SPDT（单刀双掷）开关设计，适用于5G的FR1和FR3频段

  基于22nm FD-SOI CMOS工艺设计并流片出全单调DC-24GHz SPDT射频开关IC（SW1），实测插入损耗1.9/2.8/3.8dB（10/18/24GHz）与仿真误差0.5dB以内，但高频段插入损耗仿真存在低估，据此提出第二代设计SW2通过优化晶体管尺寸和匹配网络降低损耗1dB，并拓展至5G FR2频段（24.25-52.6GHz）。

  来源：Microelectronic Engineering

  时间：2026-02-11

• 螺栓连接处孔边裂纹的远场涡流监测：理论建模与实验验证

  远程场涡流检测（RFEC）技术结合柔性传感器与解析/有限元模型，系统研究螺栓连接处裂纹的生成机制及检测特性。实验表明3kHz激励下可监测至10mm深裂纹，信号幅值53μV、相位0.55°变化显著，实现裂纹位置、长度及深度的精准识别。研究验证了RFEC方法在复杂结构健康监测中的可行性与高灵敏度。

  来源：NDT & E International

  时间：2026-02-11

• 聚氨基聚醚亚甲基膦酸作为一种环保抑制剂在磷灰石和白云石分离中的应用评估

  本研究以聚氨基聚醚甲烯磷酸（PAPEMP）为抑制剂，通过单矿物浮选、人工混合矿物浮选及真实矿石浮选实验，结合吸附实验、FTIR、Zeta电位和XPS分析，证实PAPEMP与NaOl协同使用可有效选择性抑制白云石浮选，分离磷灰石和白云石，其机理为PAPEMP的磷酸基团与白云石表面的钙镁离子形成强络合作用，而与磷灰石表面作用较弱。

  来源：Minerals Engineering

  时间：2026-02-11

• 化学预处理能够提高含黏土矿物较多的铁矿石尾矿的真空过滤效果

  高效脱水工艺及化学预处理策略对 slime-rich 铁矿石尾ings 的真空过滤性能提升显著，采用阳离子聚丙烯酰胺（Superfloc® C-498）与改性单宁酸（Tanfloc® SG）复合预处理后，在0.9 bar负压下可实现12.5%残留水分率，较传统工艺降低3-7个百分点，且形成时间缩短至10秒，孔隙率增加提升渗透性。

  来源：Minerals Engineering

  时间：2026-02-11

• 在不同能量质子辐照下，SiC功率MOSFET栅极氧化物可靠性的退化机制

  质子能量依赖性导致SiC MOSFET栅氧化层可靠性下降，次级粒子是主要损伤机制，蒙特卡洛模拟验证了等效TID和DDD与击穿电压相关性。

  来源：Microelectronics Reliability

  时间：2026-02-11

• 一种基于17.6 GHz CMOS宽斜率范围级联PLL的FMCW发生器，其啁啾斜率为156 MHz/μs，带宽为2 GHz

  提出了一种基于门级电荷变化检测的无电容LDO，采用双瞬态增强技术抑制过冲欠冲，集成高PSR架构和过流保护结构，55nm CMOS仿真显示负载突变320mA时输出电压波动分别为21.73mV和17.91mV，PSR达-121.42dB@DC至-16.54dB@10MHz。

  来源：Microelectronics Journal

  时间：2026-02-11

• 非均质混凝土的速度场反演以及利用超声波识别近表面钢筋

  水下混凝土结构中钢筋定位与直径识别精度提升研究。本文提出一种改进的全波形反演（FWI）方法，通过抑制模式转换、优化源信号估计及加权函数抑制表面干扰波，显著提升水下混凝土中钢筋的定位精度和直径识别精度，有效解决传统TFM和FWI在复杂介质中的分辨率问题。

  来源：NDT & E International

  时间：2026-02-11

• 工业废物的协同资源利用：从铜尾矿和碱渣中制备硅肥及其工艺优化

  提出了一种不含氟的废钽铌合金回收新工艺，包括杂质去除、氧化焙烧、碱 fusion和水浸出四步。通过KOH-K2C2O4混合系统优化反应路径，热力学计算表明杂质钙、铁、铜去除率达90%-93%，氧化焙烧后产物经碱 fusion处理，水浸出钽铌回收率分别达99.4%和99.6%，动力学分析证实K2C2O4显著提升浸出速率。

  来源：Minerals Engineering

  时间：2026-02-11

• 高频功率循环对SiC功率模块在汽车使用场景下的寿命影响

  SiC功率模块因高频热循环导致传统寿命估算方法误差显著，本文提出基于瞬时电流波形的精确热循环建模方法，结合雨流计数算法分析40K温差和>10Hz频次的复合热应力对模块寿命的影响，实验表明未考虑高频热循环将导致寿命高估超10倍。

  来源：Microelectronics Reliability

  时间：2026-02-11

• MADA-Unet：一种多分辨率注意力密集聚合Unet模型，用于预测最恶劣情况下的瞬态红外衰减现象

  瞬态IR降预测 MADA-Unet 多尺度特征提取 全局PDN拓扑建模 计算效率优化

  来源：Microelectronics Journal

  时间：2026-02-11

• 随机电报噪声的全面统计分析：栅极电压、温度和偏置时间的影响

  随机电信噪声（RTN）在纳米MOSFET中的统计特性分析表明，通过加权时间延迟图（WTLP）对13,000余条轨迹研究发现：活性陷阱数（N_act）随电压（0.6-1.2V）和温度（-20℃至80℃）升高而增加，但随偏置时间延长因陷阱瞬态填充而减少；电流步幅（ΔI/I）与电压正相关且温度依赖性极弱。该成果为RTN建模和电路可靠性评估及真随机数生成器（TRNG）应用提供实验基础。

  来源：Microelectronic Engineering

  时间：2026-02-11

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